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FDS6375数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FDS6375

功能描述

P 沟道,2.5V 指定,PowerTrench™ MOSFET,-20V,-8A,24mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-6 20:00:00

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FDS6375规格书详情

描述 Description

此P沟道2.5V额定MOSFET是采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产的稳固栅极版本。 它已针对栅极驱动电压范围(2.5V – 8V)广泛的功率管理应用进行了优化

特性 Features

•-8.0 A,-20 V
•RDS(on) = 24 mΩ @ VGS = -4.5V
•RDS(on) = 32 mΩ @ VGS = -2.5V
•低栅极电荷(26nC,典型值)
•快速开关速度
•高性能沟道技术可实现极低的rDS(on)
•高功率和高电流处理能力

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.
• Power Management
• Load Switch
• Battery Protection

技术参数

  • 制造商编号

    :FDS6375

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :P-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :-20

  • VGS Max (V)

    :8

  • VGS(th) Max (V)

    :-1.5

  • ID Max (A)

    :-8

  • PD Max (W)

    :2.5

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :32

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :24

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :75

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :26

  • Ciss Typ (pF)

    :2694

  • Package Type

    :SOIC-8

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