Dual 30V P-Channel PowerTrench MOSFET

General Description This P-Channel MOSFET is a rugged gate version of Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench® process. It has been optimized for power management applications requiring a wide range of gave drive voltage ratings (4.5V – 20V). Features • –7 A, –30 V RDS(ON)= 23 m

文件：113.21 Kbytes 页数：5 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

丝印：4935；Package：SOP-8；Dual P-Channel MOSFET

文件：2.66814 Mbytes 页数：4 Pages

TECHPUBLIC

台舟电子

Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件：1.02651 Mbytes 页数：9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

双 P 沟道，PowerTrench® MOSFET，- 30V，-7A，23mΩ

此P沟道MOSFET是采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产的稳固栅极版本。 它已针对广泛栅极驱动电压额定值(4.5V – 20V)的电源管理应用进行了优化。 •-7A, -30V\n•RDS(ON) = 23 mΩ @ VGS = -10V\n•RDS(ON) = 35 mΩ @ VGS = -4.5V\n•低栅极电荷（15nC，典型值）\n•快速开关速度\n•高性能沟道技术可实现极低的 RDS(on)\n•高功率和高电流处理能力;

ONSEMI

安森美半导体