IXFE50N50中文资料IXYS数据手册PDF规格书
IXFE50N50规格书详情
HiPerFET Power MOSFET
Single Die MOSFET
Features
• Low cost direct-copper bonded aluminium package
• Encapsulating epoxy meets UL 94 V-0, flammability classification
• 2500V isolation
• Low drain to case capacitance
• Low RDS (on) HDMOSTM process
• Rugged polysilicon gate cell structure
• Unclamped Inductive Switching (UIS) rated
• Low package inductance
• Fast intrinsic Rectifier
• Conforms to SOT-227B outline
Applications
• DC-DC converters
• Battery chargers
• Switched-mode and resonant-mode power supplies
• DC choppers
• Temperature and lighting controls
Advantages
• Easy to mount
• Space savings
• High power density
产品属性
- 型号：
IXFE50N50
- 功能描述：
MOSFET 47 Amps 500V 0.1 Rds
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
24+ |
SOT-227B |
30000 |
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
询价 | ||
IXYS |
24+ |
TO-247 |
4500 |
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718 |
询价 | ||
IXYS |
23+ |
NA |
19960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
ISOPLUSi4-PAC(3- |
21368 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
IXYS |
19+/20+ |
SOT-227B |
1000 |
主打产品价格优惠.全新原装正品 |
询价 | ||
IXYS |
22+ |
SOT2274 miniBLOC |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
IXYS |
2022+ |
SOT-227-4,miniBLOC |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
IXFN |
23+ |
标准封装 |
5000 |
原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保 |
询价 | ||
IXYS |
1931+ |
N/A |
18 |
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询价 | ||
IXYS |
22+ |
NA |
18 |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
询价 |
