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MTE50N50 | POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE SILICON GATE TMOS 文件:391.54 Kbytes 页数:7 Pages | MOTOROLA 摩托罗拉 | MOTOROLA | |
Wireless Charging Coil Assembly 文件:1.18956 Mbytes 页数:2 Pages | ABRACON | ABRACON | ||
500V N-Channel MOSFET 文件:222.62 Kbytes 页数:8 Pages | FAIRCHILD 仙童半导体 | FAIRCHILD | ||
500V N-Channel MOSFET Description These N-Channel enhancement mode power field effect transis tors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. Features • 48A, 500V, RDS(on)= 0.105Ω@VGS= 10 V • Low gate charge ( typical 105 nC) •Low Crss ( typical 45 pF) •Fast switchin 文件:497.93 Kbytes 页数:8 Pages | FAIRCHILD 仙童半导体 | FAIRCHILD |
详细参数
- 型号:
MTE50N50
- 制造商:
MOTOROLA
- 制造商全称:
Motorola, Inc
- 功能描述:
POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE SILICON GATE TMOS
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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模块 |
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原装现货,可开13%税票 |
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专业模块 |
MODULE |
8513 |
模块原装主营-可开原型号增税票 |
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ON |
22+ |
SOT227 |
3000 |
原装正品,支持实单 |
询价 | ||
MOT |
23+ |
螺丝型模块 |
20000 |
全新原装假一赔十 |
询价 | ||
24+ |
MODULE |
2100 |
公司大量全新现货 随时可以发货 |
询价 |
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