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FDS4675	文件：73.85 Kbytes Page：5 Pages	40V P-Channel PowerTrench MOSFET GeneralDescription ThisP-ChannelMOSFETisaruggedgateversionofFairchildSemiconductor’sadvancedPowerTrenchprocess.Ithasbeenoptimizedforpowermanagementapplicationsrequiringawiderangeofgavedrivevoltageratings(4.5V–20V). Features •–11A,–40VRDS(ON)=0.013Ω	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDS4675	文件：316.54 Kbytes Page：5 Pages	40V P-Channel Power TrenchMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDS4675_10	文件：316.54 Kbytes Page：5 Pages	40V P-Channel Power TrenchMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDS4675-F085	文件：850.95 Kbytes Page：7 Pages	40V P-Channel PowerTrench짰 MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
INN4675F	文件：3.57463 Mbytes Page：54 Pages	DigitallyControllableOff-LineCV/CCZVSFlybackSwitcherICwith750VPowiGaN,ActiveClampDriveandSynchronousRectification HighlyIntegrated,CompactFootprint •Quasi-Resonant(QR)orzerovoltageswitching(ZVS)flyback controllerwhenpairedwithClampZeroTM(activeclampIC) •UniquecontrolalgorithmtoenableZVSinbothDCMandCCM •Robust750VPowiGaNTMprimaryswitch •Steady-stateswitchingfrequency	POWERINTPower Integrations, Inc. 荷兰帕沃英蒂格盛有限公司	POWERINT
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详细参数

型号：
FDS4675
功能描述：
MOSFET SO-8
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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