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FDS4675_F085中文资料P 沟道 PowerTrench® MOSFET -40V,-11A,13mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDS4675_F085

功能描述

P 沟道 PowerTrench® MOSFET -40V,-11A,13mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-10-1 22:59:00

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FDS4675_F085规格书详情

描述 Description

此 P 沟道 MOSFET 是采用飞兆先进的 PowerTrench 工艺生产的稳固栅极版本。它已针对广泛栅极驱动电压额定值(4.5V – 20V)的电源管理应用进行了优化。

特性 Features

•–11 A,–40 V,RDS(ON) = 0.013 Ω(VGS = –10 V 时),RDS(ON) = 0.017 Ω(VGS = –4.5 V 时)
•快速开关速度
•高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)
•高功率和高电流处理能力
•符合 AEC Q101 标准
•符合 RoHS 标准

应用 Application

• 信息娱乐
• 便携导航
• 传动系
• 安全和控制
• 舒适与便捷
• 人体电子
• 车辆安全系统
• 其他车用
• 其他
• Power Management
• Load Switch
• Battery Protection

技术参数

  • 制造商编号

    :FDS4675_F085

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • AEC Qualified

    :A

  • Halide free

    :H

  • PPAP Capablee

    :P

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :P-Channel

  • V(BR)DSS Min (V)

    :-40

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :-3

  • ID Max (A)

    :-11

  • PD Max (W)

    :2.4

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :17

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :13

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :40

  • Ciss Typ (pF)

    :4350

  • Package Type

    :SOIC-8

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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