FDS4675中文资料P 沟道，PowerTrench® MOSFET，40V，-11A，13mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDS4675规格书详情
描述 Description
此P沟道MOSFET是采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产的稳固栅极版本。 它已针对需要大范围栅极驱动电压额定值(4.5V – 20V)的功率管理应用进行了优化。
特性 Features
•-11A，-40 V。
•RDS(ON) = 0.013 Ω @ VGS = -10 V
•RDS(ON) = 0.017 Ω @ VGS = -4.5 V
•快速开关速度
•高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)
•高功率和高电流处理能力
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
• Battery Protection
• Load Switch
• Power Management
技术参数
- 制造商编号
：FDS4675
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：P-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：-40
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：-3
- ID Max (A)
：-11
- PD Max (W)
：2.4
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：17
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：13
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：40
- Ciss Typ (pF)
：4350
- Package Type
：SOIC-8
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