Single P-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET

General Description This P-Channel 2.5V specified MOSFET is a rugged gate version of Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process. It has been optimized for power management applications with a wide range of gate drive voltage (2.5V – 8V). Features • –10 A, –20 V. RDS(ON) = 13 mW

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FAIRCHILD

仙童半导体

P-Channel 2.5V Specified PowerTrench짰MOSFET

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FAIRCHILD

仙童半导体

P 沟道，2.5V 指定，PowerTrench™ MOSFET，-20V，-10A，13mΩ

此P沟道2.5V额定MOSFET是采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产的稳固栅极版本。 它已针对栅极驱动电压范围(2.5V – 8V)广泛的功率管理应用进行了优化。 •-10 A，-20 V\n•RDS(ON) = 13 mΩ @ VGS = -4.5 V\n•RDS(ON) = 17 mΩ @ VGS = -2.5 V\n•低栅极电荷\n•高性能沟道技术可实现极低的RDS(on)\n•高功率和高电流处理能力;

ONSEMI

安森美半导体

P-Channel 2.5V Specified PowerTrench짰MOSFET

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FAIRCHILD

仙童半导体

P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体