FDS6575中文资料P 沟道，2.5V 指定，PowerTrench™ MOSFET，-20V，-10A，13mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDS6575规格书详情
描述 Description
此P沟道2.5V额定MOSFET是采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产的稳固栅极版本。 它已针对栅极驱动电压范围(2.5V – 8V)广泛的功率管理应用进行了优化。
特性 Features
•-10 A，-20 V
•RDS(ON) = 13 mΩ @ VGS = -4.5 V
•RDS(ON) = 17 mΩ @ VGS = -2.5 V
•低栅极电荷
•高性能沟道技术可实现极低的RDS(on)
•高功率和高电流处理能力
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
• Power Management
• Load Switch
• Battery Protection
技术参数
- 制造商编号
：FDS6575
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：P-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：-20
- VGS Max (V)
：8
- VGS(th) Max (V)
：-1.5
- ID Max (A)
：-10
- PD Max (W)
：2.5
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：17
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：13
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：-
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：5.4
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：53
- Ciss Typ (pF)
：4951
- Package Type
：SOIC-8
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|---|---|---|---|---|---|---|---|
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