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FDD6676S

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID=78A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS=30V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) =6mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC con

文件:331.01 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

FDD6676A

30V N-Channel PowerTrench SyncFET

ONSEMI

安森美半导体

详细参数

  • 型号:

    FDD6676

  • 功能描述:

    MOSFET 30V N-Ch PowerTrench

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多FDD6676供应商 更新时间2026-1-18 15:40:00