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CSD13306WT	文件：672.35 Kbytes Page：11 Pages	丝印：13306；Package：DSBGA；CSD13306W 12 V N Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Ultra Low on Resistance • Low Qg and Qgd • Small Footprint 1 × 1.5 mm • Low Profile 0.62 mm Height • Pb Free • RoHS Compliant • Halogen Free 2 Applications • Battery Management • Load Switch • Battery Protection 3 Description This 8.8 mΩ, 12 V, N-Channel device is de 文件：672.35 Kbytes 页数：11 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD13306WT	文件：616.7 Kbytes Page：12 Pages	CSD13306W 12 V N Channel NexFET??Power MOSFET 文件：616.7 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD13306WT.B	文件：672.35 Kbytes Page：11 Pages	丝印：13306；Package：DSBGA；CSD13306W 12 V N Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Ultra Low on Resistance • Low Qg and Qgd • Small Footprint 1 × 1.5 mm • Low Profile 0.62 mm Height • Pb Free • RoHS Compliant • Halogen Free 2 Applications • Battery Management • Load Switch • Battery Protection 3 Description This 8.8 mΩ, 12 V, N-Channel device is de 文件：672.35 Kbytes 页数：11 Pages	TI 德州仪器	TI
L-13306	文件：36.39 Kbytes Page：1 Pages	High L Mini Inductors 文件：36.39 Kbytes 页数：1 Pages	RHOMBUS-IND	RHOMBUS-IND
M13306	文件：408.64 Kbytes Page：4 Pages	22 (7/30) AWG Tinned Copper 文件：408.64 Kbytes 页数：4 Pages	ALPHAWIRE	ALPHAWIRE

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