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CSD16414Q5	文件：253.76 Kbytes Page：10 Pages	丝印：CSD16414；Package：VSON-CLIP；N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1FEATURES 2• Ultra Low Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 5mm × 6mm Plastic Package APPLICATIONS • Point-of-Load Synchronous Buck Converter for Applications in Networking, Telecom and Computing Systems 文件：253.76 Kbytes 页数：10 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD16414Q5	文件：348.17 Kbytes Page：11 Pages	N-Channel NexFET??Power MOSFET 文件：348.17 Kbytes 页数：11 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD16414Q5	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.6mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET The NexFET™ power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications. • Ultra Low Qg and Qgd\n• Avalanche Rated\n• RoHS Compliant\n• SON 5mm × 6mm Plastic Package\n• Point-of-Load Synchronous Buck Converter for Applications in Networking, Telecom and Computing Systems\n• Optimized for Synchronous FET Applications\n \n 2NexFET is a trademark of Texas Instruments.;	TI 德州仪器	TI
CSD16414Q5.B	文件：253.76 Kbytes Page：10 Pages	丝印：CSD16414；Package：VSON-CLIP；N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1FEATURES 2• Ultra Low Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 5mm × 6mm Plastic Package APPLICATIONS • Point-of-Load Synchronous Buck Converter for Applications in Networking, Telecom and Computing Systems 文件：253.76 Kbytes 页数：10 Pages	TI 德州仪器	TI

技术参数

Configuration：
Single
Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)：
2.6
Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)：
1.9
IDM - pulsed drain current (Max) (A)：
213
QG typ (nC)：
16.6
QGD typ (nC)：
4.4
Package (mm)：
SON5x6
VGS (V)：
16
VGSTH typ (V)：
1.6
ID - silicon limited at Tc=25degC (A)：
100
ID - package limited (A)：
100
Logic level：
Yes

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中天科工半导体（深圳）有限公司	CSD16414Q5	TI/德州仪器	25+	VSOP-8	32000	TI/德州仪器全新特价CSD16414Q5即刻询购立享优惠#长期有货	询价
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更多CSD16414Q5供应商更新时间2025-10-4 14:14:00

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