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CSD16322Q5C	文件：300 bytes Page：1 Pages	DualCool N 通道 NexFET 功率 MOSFET The NexFET™ power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications and optimized for 5V gate drive applications.\n ·DualCool™ Package SON 5×6mm\n ·Optimized for Two Sided Cooling\n ·Optimized for 5V Gate Drive\n ·Ultralow Qg and Qgd\n ·Low Thermal Resistance\n ·Avalanche Rated\n ·Pb Free Terminal Plating\n ·RoHS Compliant and Halogen Free\n ·APPLICATIONS ·Point-of-Load Synchronous Buck in Networking, Telecom and;	TI 德州仪器	TI
CSD16322Q5C	文件：284.66 Kbytes Page：10 Pages	DualCool??N-Channel NexFET??Power MOSFETs 文件：284.66 Kbytes 页数：10 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD16322Q5	文件：752.64 Kbytes Page：12 Pages	N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features • Optimized for 5 V Gate Drive • Ultralow Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package 2 Applications • Point-of-Load Synchronous Buck in Networking, Telecom and Computing 文件：752.64 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD16322Q5	文件：287.47 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel NexFET Power MOSFET 文件：287.47 Kbytes 页数：10 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD16322Q5.B	文件：752.64 Kbytes Page：12 Pages	N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features • Optimized for 5 V Gate Drive • Ultralow Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package 2 Applications • Point-of-Load Synchronous Buck in Networking, Telecom and Computing 文件：752.64 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI

技术参数

Configuration：
Single
Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)：
5.8
Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms)：
2.4
QG Typ (nC)：
6.8
QGD Typ (nC)：
1.3
Package (mm)：
SON5x6 Dual Cool
RDS(on) Typ at VGS=4.5V (mOhm)：
4.6
VGS (V)：
10
VGSTH Typ (V)：
1.1
Logic Level：
Yes

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