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CSD17553Q5A	文件：778.86 Kbytes Page：9 Pages	30V, N-Channel NexFET™ Power MOSFETs 1FEATURES •UltralowQgandQgd •LowThermalResistance •AvalancheRated •PbFreeTerminalPlating •RoHSCompliant •HalogenFree •SON5-mm×6-mmPlasticPackage APPLICATIONS •PointofloadSynchronousBuckin Networking,TelecomandComputingSystems •OptimizedforControlan	TI2Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI2
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CSD17553Q5A.B	文件：778.86 Kbytes Page：9 Pages	30V, N-Channel NexFET™ Power MOSFETs 1FEATURES •UltralowQgandQgd •LowThermalResistance •AvalancheRated •PbFreeTerminalPlating •RoHSCompliant •HalogenFree •SON5-mm×6-mmPlasticPackage APPLICATIONS •PointofloadSynchronousBuckin Networking,TelecomandComputingSystems •OptimizedforControlan	TI2Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI2

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CSD17553Q5A

文件：778.86 Kbytes

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30V, N-Channel NexFET™ Power MOSFETs

1FEATURES •UltralowQgandQgd •LowThermalResistance •AvalancheRated •PbFreeTerminalPlating •RoHSCompliant •HalogenFree •SON5-mm×6-mmPlasticPackage APPLICATIONS •PointofloadSynchronousBuckin Networking,TelecomandComputingSystems •OptimizedforControlan

TI2Texas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

TI2

CSD17553Q5A

文件：719.56 Kbytes

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30V, N-Channel NexFET??Power MOSFETs

TI1Texas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

TI1

CSD17553Q5A.B

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30V, N-Channel NexFET™ Power MOSFETs

TI2Texas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

TI2

详细参数

型号：
CSD17553Q5A
功能描述：
MOSFET NCh NexFET Pwr MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多CSD17553Q5A供应商更新时间2025-7-12 14:14:00

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