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CSD17553Q5A中文资料采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3.1mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET数据手册TI规格书
CSD17553Q5A规格书详情
描述 Description
NexFET™ 功率 MOSFET 被设计用于大大减少功率转换应用中的功率损失。 顶视图 RθJA= 40.5°C/W，这是在一个厚度为 0.06 英寸 (1.52mm) 的 FR4 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2(6.45cm2)，2 盎司（厚度 0.071mm）的铜过渡垫片上测得的典型值。脉冲持续时间 ≤ 300μs，占空比 ≤ 2%
特性 Features
• 超低 Qg和 Qgd
• 低热阻
• 雪崩级
• 无铅端子镀层
• 符合 RoHS 标准
• 无卤素
• 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm × 6mm 塑料封装
技术参数
- 制造商编号
：CSD17553Q5A
- 生产厂家
：TI
- Configuration
：Single
- Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
：4
- Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)
：3.1
- IDM - pulsed drain current (Max) (A)
：151
- QG typ (nC)
：17.5
- QGD typ (nC)
：4.7
- Package (mm)
：SON5x6
- VGS (V)
：20
- VGSTH typ (V)
：1.5
- ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
：100
- ID - package limited (A)
：100
- Logic level
：Yes
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TI(德州仪器) |
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VSONP-8 |
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TI/德州仪器 |
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TI/德州仪器 |
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TI |
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TI |
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TI |
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