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CSD16403Q5A	文件：242.59 Kbytes Page：9 Pages	丝印：CSD16403；Package：VSONP；N-Channel NexFET™ Power MOSFETs 1FEATURES 2• Ultra Low Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 5mm x 6mm Plastic Package APPLICATIONS • Point-of-Load Synchronous Buck Converter for Applications in Networking, Telecom and Computing Systems 文件：242.59 Kbytes 页数：9 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD16403Q5A	文件：345.88 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel NexFET??Power MOSFETs 文件：345.88 Kbytes 页数：10 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD16403Q5A.B	文件：242.59 Kbytes Page：9 Pages	丝印：CSD16403；Package：VSONP；N-Channel NexFET™ Power MOSFETs 1FEATURES 2• Ultra Low Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 5mm x 6mm Plastic Package APPLICATIONS • Point-of-Load Synchronous Buck Converter for Applications in Networking, Telecom and Computing Systems 文件：242.59 Kbytes 页数：9 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD16403Q5A	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3.7mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET The NexFET™ power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications. • Ultra Low Qg and Qgd\n• Avalanche Rated\n• RoHS Compliant\n• SON 5mm × 6mm Plastic Package\n• Point-of-Load Synchronous Buck Converter for Applications in Networking, Telecom and Computing Systems\n• Optimized for Control FET Applications\n \n NexFET is a trademark of Texas Instruments.;	TI 德州仪器	TI

技术参数

Configuration：
Single
Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)：
3.7
Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)：
2.8
IDM - pulsed drain current (Max) (A)：
184
QG typ (nC)：
13.3
QGD typ (nC)：
3.5
Package (mm)：
SON5x6
VGS (V)：
16
VGSTH typ (V)：
1.6
ID - silicon limited at Tc=25degC (A)：
100
ID - package limited (A)：
100
Logic level：
Yes

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	CSD16403Q5A	TI/德州仪器	25+	SON8	32360	TI/德州仪器全新特价CSD16403Q5A即刻询购立享优惠#长期有货	询价
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更多CSD16403Q5A供应商更新时间2025-10-4 14:14:00

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