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CSD16406Q3	文件：441.19 Kbytes Page：12 Pages	丝印：CSD16406；Package：VSON-CLIP；CSD16406Q3 N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Ultra-Low Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 3.3 mm × 3.3 mm Plastic Package 2 Applications • Point-of-Load Synchronous Buck Converter for Applications in Networking, Telecom, and Computi 文件：441.19 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD16406Q3	文件：364.51 Kbytes Page：11 Pages	N-Channel NexFET??Power MOSFETs 文件：364.51 Kbytes 页数：11 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD16406Q3	文件：385.68 Kbytes Page：13 Pages	N-Channel NexFET Power MOSFET 文件：385.68 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD16406Q3	文件：1.006 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 30 V (D-S) MOSFET 文件：1.006 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
CSD16406Q3	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、7.4mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET This 25 V, 4.2 mΩ, 3.3 mm × 3.3 mm SON NexFET power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications. • Ultra-Low Qg and Qgd\n• Low Thermal Resistance\n• Avalanche Rated\n• Pb Free Terminal Plating\n• RoHS Compliant\n• Halogen Free\n• SON 3.3 mm × 3.3 mm Plastic Package;	TI 德州仪器	TI
CSD16406Q3.B	文件：441.19 Kbytes Page：12 Pages	丝印：CSD16406；Package：VSON-CLIP；CSD16406Q3 N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Ultra-Low Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 3.3 mm × 3.3 mm Plastic Package 2 Applications • Point-of-Load Synchronous Buck Converter for Applications in Networking, Telecom, and Computi 文件：441.19 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD16406Q3T	文件：441.19 Kbytes Page：12 Pages	CSD16406Q3 N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Ultra-Low Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 3.3 mm × 3.3 mm Plastic Package 2 Applications • Point-of-Load Synchronous Buck Converter for Applications in Networking, Telecom, and Computi 文件：441.19 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD16406Q3_15	文件：385.68 Kbytes Page：13 Pages	N-Channel NexFET Power MOSFET 文件：385.68 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI

技术参数

Configuration：
Single
Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)：
7.4
Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)：
5.3
IDM - pulsed drain current (Max) (A)：
114
QG typ (nC)：
5.8
QGD typ (nC)：
1.5
Package (mm)：
SON3x3
VGS (V)：
16
VGSTH typ (V)：
1.7
ID - silicon limited at Tc=25degC (A)：
79
ID - package limited (A)：
60
Logic level：
Yes

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市卓越微芯电子有限公司	CSD16406Q3	TI	25+	SON-8	18600	百分百原装正品真实公司现货库存本公司只做原装可	询价
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深圳市旺财半导体有限公司	CSD16406Q3	TI/德州仪器	23+	QFN8	35680	只做进口原装QQ:373621633	询价
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更多CSD16406Q3供应商更新时间2025-10-4 13:57:00

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