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CEM11M2	文件：1.00546 Mbytes Page：5 Pages	Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■20V,6A,RDS(ON)=25mΩ@VGS=4.5V. RDS(ON)=31mΩ@VGS=2.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■SurfaceMountPackage.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
FC11M2	文件：339.98 Kbytes Page：1 Pages	TUNINGFORKCRYSTALINSMD1.6X1.0MMCERAMICSEAMSEALPACKAGE FEATURES Smalldimensions1.6x1.0x0.5mmwith2solderpads. Highlyreliablevacuumseamsealedceramicpackage. Usableforhightemperaturereflow. RoHScompliant,LEAD-FREEandHALOGEN-FREE. APPLICATIONS Mobilcommunicationdevices Handheldequipment	HANGJINGSuzhou HangJing Electronic Technology Co., LTD 苏州杭晶电子苏州杭晶电子科技有限公司	HANGJING
KEPA-11M2-B	文件：126.19 Kbytes Page：4 Pages	Plug-inSignalConditionersK-UNIT	MSYSTEMM-System Co.,Ltd. 爱模爱模系统有限公司	MSYSTEM
KEPA-11M2-B/Q	文件：126.19 Kbytes Page：4 Pages	Plug-inSignalConditionersK-UNIT	MSYSTEMM-System Co.,Ltd. 爱模爱模系统有限公司	MSYSTEM
CEM6086L	文件：0 bytes Page：0 Pages	CET SOP-8	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司相关企业：深圳市昊创电子有限公司	CET

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