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AO6422-HF	文件：1.95983 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) = 20V ● ID =5 A (VGS = 4.5V) ● RDS(ON) 文件：1.95983 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO6422L	文件：204.09 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO6422/L uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V. This device is suitable for general purpose application. AO6422 and AO6422L are electrically identical. -RoHS Compliant -AO6422L is Ha 文件：204.09 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO6601	文件：207.8 Kbytes Page：7 Pages	Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO6601 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The complementary MOSFETs form a high-speed power inverter, suitable for a multitude of applications. Standard Product AO6601 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO6 文件：207.8 Kbytes 页数：7 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO6601	文件：2.72053 Mbytes Page：7 Pages	Complementary Trench MOSFET ■ Features N-Channel : ● VDS (V) = 30V ● ID = 3.4 A (VGS = 10V) ● RDS(ON) 文件：2.72053 Mbytes 页数：7 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO6601	文件：2.06917 Mbytes Page：10 Pages	N- and P-Channel V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 文件：2.06917 Mbytes 页数：10 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AO6601	文件：724.96 Kbytes Page：11 Pages	丝印：F14L；Package：SOT23-6；N P Channel MOSFET Features N-Ch: * VDS (V)=30V * ID= 3.4A (VGS=10V) * RDS(ON) 60m (VGS = 10V) * RDS(ON) 70m (VGS = 4.5V) * RDS(ON) 90m (VGS = 2.5V) P-Ch: * VDS (V)=-30V * ID=-2.3A (VGS=-10V) * RDS(ON) 115m (VGS = -10V) * RDS(ON) 150m (VGS = -4.5V) * RDS(ON) 200m (VGS = -2.5V) 文件：724.96 Kbytes 页数：11 Pages	UMW 友台半导体	UMW
AO6601	文件：915.11 Kbytes Page：11 Pages	丝印：F14LU；Package：SOT23-6；N P Channel MOSFET General Description The AO6601 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The complementary MOSFETs form a high-speed power inverter, suitable for a multitude of applications. Features N-Ch: VDS (V)=30V RDS(ON) 文件：915.11 Kbytes 页数：11 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
AO6601-HF	文件：3.6273 Mbytes Page：7 Pages	Complementary Trench MOSFET ■ Features N-Channel : ● VDS (V) = 30V ● ID = 3.4 A (VGS = 10V) ● RDS(ON) 文件：3.6273 Mbytes 页数：7 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO6601L	文件：207.8 Kbytes Page：7 Pages	Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO6601 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The complementary MOSFETs form a high-speed power inverter, suitable for a multitude of applications. Standard Product AO6601 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO6 文件：207.8 Kbytes 页数：7 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO6602	文件：146 Kbytes Page：7 Pages	Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO6602 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The complementary MOSFETs form a high-speed power inverter, suitable for a multitude of applications. Standard Product AO6602 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO6 文件：146 Kbytes 页数：7 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD

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技术参数

Package：
TSOP-6L
Configuration：
Single
Polarity：
P
VDS (V)：
-30
VGS (±V)：
20
10V：
52
4.5V：
87
ID @ 25°C (A)：
-5
PD @ 25°C (W)：
2
Qg (4.5V)(nC)：
4.60
Qg (10V)(nC)：
9.20
VGS(th) max (V)：
-2.40
Ciss (pF)：
520
Coss (pF)：
100
Crss (pF)：
65
Qgd (nC)：
2.20
tD(on) (ns)：
7.50
tD(off) (ns)：
19
Trr (ns)：
11
Qrr (nC)：
5.30
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
150

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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