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AO6415	文件：1.72596 Mbytes Page：4 Pages	P-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) =-20V ● ID =-3.3A (VGS =-10V) ● RDS(ON) 文件：1.72596 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO6415-HF	文件：2.02614 Mbytes Page：4 Pages	P-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) =-20V ● ID =-3.3A (VGS =-10V) ● RDS(ON) 文件：2.02614 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO6415L	文件：112.15 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO6415 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. It is ESD protected. Standard Product AO6415 is Pb-free (meets ROH 文件：112.15 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO6419	文件：114.06 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO6419 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Standard Product AO6419 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO6419L is a Green Product orde 文件：114.06 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO6419L	文件：114.06 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO6419 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Standard Product AO6419 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO6419L is a Green Product orde 文件：114.06 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO6420	文件：131.14 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO6420 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Product Summary VDS (V) = 60V ID = 4.2A (VGS = 10V) RDS(ON) 文件：131.14 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO6420	文件：1.1081 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) = 60V ● ID =4.2 A (VGS = 10V) ● RDS(ON) 文件：1.1081 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO6420-HF	文件：1.92921 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) = 60V ● ID =4.2 A (VGS = 10V) ● RDS(ON) 文件：1.92921 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO6422	文件：1.8276 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) = 20V ● ID =5 A (VGS = 4.5V) ● RDS(ON) 文件：1.8276 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO6422	文件：204.09 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO6422/L uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V. This device is suitable for general purpose application. AO6422 and AO6422L are electrically identical. -RoHS Compliant -AO6422L is Ha 文件：204.09 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD

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技术参数

Package：
TSOP-6L
Configuration：
Single
Polarity：
P
VDS (V)：
-30
VGS (±V)：
20
10V：
52
4.5V：
87
ID @ 25°C (A)：
-5
PD @ 25°C (W)：
2
Qg (4.5V)(nC)：
4.60
Qg (10V)(nC)：
9.20
VGS(th) max (V)：
-2.40
Ciss (pF)：
520
Coss (pF)：
100
Crss (pF)：
65
Qgd (nC)：
2.20
tD(on) (ns)：
7.50
tD(off) (ns)：
19
Trr (ns)：
11
Qrr (nC)：
5.30
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
150

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