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AO6800	文件：503.97 Kbytes Page：8 Pages	丝印：H0UAU；Package：SOT23-6；Dual N-Channel MOSFET PRODUCT SUMMARY VDS (V)=20V RDS(ON) 文件：503.97 Kbytes 页数：8 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
AO6800	文件：583.58 Kbytes Page：8 Pages	丝印：H0UA；Package：SOT23-6；Dual N-Channel MOSFET PRODUCT SUMMARY * VDS (V)=20V * RDS(ON) 文件：583.58 Kbytes 页数：8 Pages	UMW 友台半导体	UMW
AO6801	文件：1.41705 Mbytes Page：4 Pages	Dual P-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) =-30V ● ID =-2.3A (VGS =-10V) ● RDS(ON) 文件：1.41705 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO6801	文件：110.34 Kbytes Page：4 Pages	Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO6801 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Standard Product AO6801 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO6801L is a Green Product order 文件：110.34 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO6801A	文件：1.27263 Mbytes Page：4 Pages	Dual P-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) =-30V ● ID =-2.3A (VGS =-10V) ● RDS(ON) 文件：1.27263 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO6801A	文件：336.64 Kbytes Page：5 Pages	30V Dual P-Channel MOSFET General Description The AO6801A uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Product Summary VDS -30V ID (at VGS=-10V) -2.3A 文件：336.64 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO6801A	文件：1.93653 Mbytes Page：9 Pages	Dual P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Load Switch for Portable Applications • Battery Switch for Portable Devices • Computers - Bus Switch - Load Switch 文件：1.93653 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AO6801A-HF	文件：2.02956 Mbytes Page：4 Pages	Dual P-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) =-30V ● ID =-2.3A (VGS =-10V) ● RDS(ON) 文件：2.02956 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO6801E	文件：1.91152 Mbytes Page：4 Pages	Dual P-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) =-30V ● ID =-2A (VGS =-10V) ● RDS(ON) 文件：1.91152 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO6801E	文件：308.58 Kbytes Page：5 Pages	30V Dual P-Channel MOSFET General Description The AO6801E combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide extremely low RDS(ON). This device is ideal for load switch and battery protection applications. Product Summary VDS -30V ID (at VGS=-10 文件：308.58 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD

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技术参数

Package：
TSOP-6L
Configuration：
Single
Polarity：
P
VDS (V)：
-30
VGS (±V)：
20
10V：
52
4.5V：
87
ID @ 25°C (A)：
-5
PD @ 25°C (W)：
2
Qg (4.5V)(nC)：
4.60
Qg (10V)(nC)：
9.20
VGS(th) max (V)：
-2.40
Ciss (pF)：
520
Coss (pF)：
100
Crss (pF)：
65
Qgd (nC)：
2.20
tD(on) (ns)：
7.50
tD(off) (ns)：
19
Trr (ns)：
11
Qrr (nC)：
5.30
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
150

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