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AO6804	文件：1.47487 Mbytes Page：4 Pages	Dual N-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) = 20V ● ID =5 A (VGS = 4.5V) ● RDS(ON) 文件：1.47487 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO6804A	文件：204.31 Kbytes Page：5 Pages	20V Dual N-Channel MOSFET General Description The AO6804A uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch applications. Product Summary VDS = 20V ID = 5.0A (VGS = 4.5V) RDS(ON) 文件：204.31 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO6804A	文件：1.7096 Mbytes Page：4 Pages	Dual N-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) = 20V ● ID =5 A (VGS = 4.5V) ● RDS(ON) 文件：1.7096 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO6804A-HF	文件：1.88133 Mbytes Page：4 Pages	Dual N-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) = 20V ● ID =5 A (VGS = 4.5V) ● RDS(ON) 文件：1.88133 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO6804-HF	文件：1.53689 Mbytes Page：4 Pages	Dual N-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) = 20V ● ID =5 A (VGS = 4.5V) ● RDS(ON) 文件：1.53689 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO6806	文件：209.94 Kbytes Page：4 Pages	Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO6806 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. AO6806 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). Fea 文件：209.94 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO6808	文件：141.39 Kbytes Page：4 Pages	Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO6808/L uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch. It is ESD protected. AO6808 and AO6808L are electrically identical. -RoHS Compliant 文件：141.39 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO6808	文件：1.97486 Mbytes Page：4 Pages	Dual N-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) = 20V ● ID =6 A (VGS = 4.5V) ● RDS(ON) 文件：1.97486 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO6808-HF	文件：1.96393 Mbytes Page：4 Pages	Dual N-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) = 20V ● ID =6 A (VGS = 4.5V) ● RDS(ON) 文件：1.96393 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO6810	文件：1.87148 Mbytes Page：4 Pages	Dual N-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) = 30V ● ID =3.5 A (VGS = 10V) ● RDS(ON) 文件：1.87148 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN

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技术参数

Package：
TSOP-6L
Configuration：
Single
Polarity：
P
VDS (V)：
-30
VGS (±V)：
20
10V：
52
4.5V：
87
ID @ 25°C (A)：
-5
PD @ 25°C (W)：
2
Qg (4.5V)(nC)：
4.60
Qg (10V)(nC)：
9.20
VGS(th) max (V)：
-2.40
Ciss (pF)：
520
Coss (pF)：
100
Crss (pF)：
65
Qgd (nC)：
2.20
tD(on) (ns)：
7.50
tD(off) (ns)：
19
Trr (ns)：
11
Qrr (nC)：
5.30
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
150

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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