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AO6403	文件：1.814 Mbytes Page：4 Pages	P-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) =-30V ● ID =-6 A (VGS =-10V) ● RDS(ON) 文件：1.814 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO6403	文件：1.00195 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Available • TrenchFET® Power MOSFET APPLICATIONS • Load Switch 文件：1.00195 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AO6403-HF	文件：2.54477 Mbytes Page：4 Pages	P-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) =-30V ● ID =-6 A (VGS =-10V) ● RDS(ON) 文件：2.54477 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO6403L	文件：114.21 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO6403 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), and ultra-low low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. It may be used in common-drain configuration to form a bidirectional blocking switch. AO6403 is Pb 文件：114.21 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO6404	文件：114.17 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO6404 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V while retaining a 12V VGS(MAX) rating. It is ESD protected. Standard Product AO6404 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). A 文件：114.17 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO6404	文件：1.63208 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) = 20V ● ID = 8.6 A (VGS = 10V) ● RDS(ON) 文件：1.63208 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO6404-HF	文件：1.95175 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) = 20V ● ID = 8.6 A (VGS = 10V) ● RDS(ON) 文件：1.95175 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO6404L	文件：114.17 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO6404 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V while retaining a 12V VGS(MAX) rating. It is ESD protected. Standard Product AO6404 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). A 文件：114.17 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO6405	文件：284.62 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO6405 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Standard Product AO6405 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO6405L is a Green Product orde 文件：284.62 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO6405	文件：1.72867 Mbytes Page：4 Pages	P-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) =-30V ● ID =-5 A (VGS =-10V) ● RDS(ON) 文件：1.72867 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN

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技术参数

Package：
TSOP-6L
Configuration：
Single
Polarity：
P
VDS (V)：
-30
VGS (±V)：
20
10V：
52
4.5V：
87
ID @ 25°C (A)：
-5
PD @ 25°C (W)：
2
Qg (4.5V)(nC)：
4.60
Qg (10V)(nC)：
9.20
VGS(th) max (V)：
-2.40
Ciss (pF)：
520
Coss (pF)：
100
Crss (pF)：
65
Qgd (nC)：
2.20
tD(on) (ns)：
7.50
tD(off) (ns)：
19
Trr (ns)：
11
Qrr (nC)：
5.30
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
150

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