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2SA1593	文件：304.08 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPNPPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=-120V(Min) ·DCCurrentGain- :hFE=100(Min)@IC=-0.1A ·Ultrahigh-speedswitching ·Complementaryto2SC4135 APPLICATIONS ·Powersupplies,relaydrivers,lampdrivers	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SA1593	文件：323.12 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPNPPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=-120V(Min) ·DCCurrentGain- :hFE=100(Min)@IC=-0.1A ·Ultrahigh-speedswitching ·Complementaryto2SC4135 APPLICATIONS ·Powersupplies,relaydrivers,lampdrivers	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SA1593	文件：339.09 Kbytes Page：3 Pages	iscSiliconPNPPowerTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SA1593	文件：128.9 Kbytes Page：4 Pages	High-VoltageSwitchingApplications High-VoltageSwitchingApplications Features •AdoptionofFBET,MBITprocesses. •Highbreakdownvoltageandlargecurrentcapacity. •Fastswitchingspeed. •Smallandslimpackagepermitting2SA1593/2SC4135-appliedsetstobemademorecompact. Applications •Powersupplies	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
2SA1593	文件：385.87 Kbytes Page：9 Pages	BipolarTransistorAdoptionofFBET,MBITprocesses Features •AdoptionofFBET,MBITprocesses •Highbreakdownvoltageandlargecurrentcapacity •Fastswitchingspeed •Smallandslimpackagepermitting 2SA1593/2SC4135-appliedsetstobemademorecompact Applications •Powersupplies,relayderivers,lampdrivers	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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2SA1593S-E	文件：385.87 Kbytes Page：9 Pages	BipolarTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2SA1593S-E	文件：385.87 Kbytes Page：9 Pages	BipolarTransistorAdoptionofFBET,MBITprocesses Features •AdoptionofFBET,MBITprocesses •Highbreakdownvoltageandlargecurrentcapacity •Fastswitchingspeed •Smallandslimpackagepermitting 2SA1593/2SC4135-appliedsetstobemademorecompact Applications •Powersupplies,relayderivers,lampdrivers	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2SA1593S-TL-E	文件：385.87 Kbytes Page：9 Pages	BipolarTransistorAdoptionofFBET,MBITprocesses Features •AdoptionofFBET,MBITprocesses •Highbreakdownvoltageandlargecurrentcapacity •Fastswitchingspeed •Smallandslimpackagepermitting 2SA1593/2SC4135-appliedsetstobemademorecompact Applications •Powersupplies,relayderivers,lampdrivers	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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