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2SA1593	文件：128.9 Kbytes Page：4 Pages	High-Voltage Switching Applications High-VoltageSwitchingApplications Features •AdoptionofFBET,MBITprocesses. •Highbreakdownvoltageandlargecurrentcapacity. •Fastswitchingspeed. •Smallandslimpackagepermitting2SA1593/2SC4135-appliedsetstobemademorecompact. Applications •Powersupplies	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
2SA1593	文件：385.87 Kbytes Page：9 Pages	Bipolar Transistor Adoption of FBET, MBIT processes Features •AdoptionofFBET,MBITprocesses •Highbreakdownvoltageandlargecurrentcapacity •Fastswitchingspeed •Smallandslimpackagepermitting 2SA1593/2SC4135-appliedsetstobemademorecompact Applications •Powersupplies,relayderivers,lampdrivers	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2SA1593	文件：323.12 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=-120V(Min) ·DCCurrentGain- :hFE=100(Min)@IC=-0.1A ·Ultrahigh-speedswitching ·Complementaryto2SC4135 APPLICATIONS ·Powersupplies,relaydrivers,lampdrivers	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SA1593	文件：304.08 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=-120V(Min) ·DCCurrentGain- :hFE=100(Min)@IC=-0.1A ·Ultrahigh-speedswitching ·Complementaryto2SC4135 APPLICATIONS ·Powersupplies,relaydrivers,lampdrivers	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SA1593	文件：339.09 Kbytes Page：3 Pages	isc Silicon PNP Power Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SA1593	文件：491.53 Kbytes Page：9 Pages	High-Voltage Switching Applications	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
2SA1593-251	文件：323.12 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=-120V(Min) ·DCCurrentGain- :hFE=100(Min)@IC=-0.1A ·Ultrahigh-speedswitching ·Complementaryto2SC4135 APPLICATIONS ·Powersupplies,relaydrivers,lampdrivers	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SA1593-252	文件：304.08 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=-120V(Min) ·DCCurrentGain- :hFE=100(Min)@IC=-0.1A ·Ultrahigh-speedswitching ·Complementaryto2SC4135 APPLICATIONS ·Powersupplies,relaydrivers,lampdrivers	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SA1593S-E	文件：385.87 Kbytes Page：9 Pages	Bipolar Transistor Adoption of FBET, MBIT processes Features •AdoptionofFBET,MBITprocesses •Highbreakdownvoltageandlargecurrentcapacity •Fastswitchingspeed •Smallandslimpackagepermitting 2SA1593/2SC4135-appliedsetstobemademorecompact Applications •Powersupplies,relayderivers,lampdrivers	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2SA1593S-TL-E	文件：385.87 Kbytes Page：9 Pages	Bipolar Transistor Adoption of FBET, MBIT processes Features •AdoptionofFBET,MBITprocesses •Highbreakdownvoltageandlargecurrentcapacity •Fastswitchingspeed •Smallandslimpackagepermitting 2SA1593/2SC4135-appliedsetstobemademorecompact Applications •Powersupplies,relayderivers,lampdrivers	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

详细参数

型号：
2SA1593
功能描述：
两极晶体管 - BJT BIP PNP 2A 100V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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