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2SA1593	文件：385.87 Kbytes Page：9 Pages	Bipolar Transistor Adoption of FBET, MBIT processes Features • Adoption of FBET, MBIT processes • High breakdown voltage and large current capacity • Fast switching speed • Small and slim package permitting 2SA1593/2SC4135-applied sets to be made more compact Applications • Power supplies, relay derivers, lamp drivers 文件：385.87 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SA1593	文件：128.9 Kbytes Page：4 Pages	High-Voltage Switching Applications High-Voltage Switching Applications Features • Adoption of FBET, MBIT processes. • High breakdown voltage and large current capacity. • Fast switching speed. • Small and slim package permitting 2SA1593/ 2SC4135-applied sets to be made more compact. Applications • Power supplies 文件：128.9 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SA1593	文件：323.12 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -120V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 100(Min)@ IC= -0.1A ·Ultrahigh-speed switching ·Complementary to 2SC4135 APPLICATIONS ·Power supplies,relay drivers,lamp drivers 文件：323.12 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SA1593	文件：304.08 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -120V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 100(Min)@ IC= -0.1A ·Ultrahigh-speed switching ·Complementary to 2SC4135 APPLICATIONS ·Power supplies,relay drivers,lamp drivers 文件：304.08 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SA1593	文件：339.09 Kbytes Page：3 Pages	isc Silicon PNP Power Transistor 文件：339.09 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SA1593	文件：491.53 Kbytes Page：9 Pages	High-Voltage Switching Applications 文件：491.53 Kbytes 页数：9 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SA1593	文件：300 bytes Page：1 Pages	双极晶体管，(-)100V，(-)2A，低饱和压，(PNP)NPN 单 TP/TP-FA 2SA1593/2SC4135 is Bipolar Transistor, (-)100V, (-)2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single TP/TP-FA for High-Voltage Switching Applications. • Adoption of FBET, MBIT processes\n• High breakdown voltage and large current capacity\n• Fast switching speed\n• Small and slim package permitting 2SA1593/2SC4135-applied sets to be made more compact;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SA1593-251	文件：323.12 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -120V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 100(Min)@ IC= -0.1A ·Ultrahigh-speed switching ·Complementary to 2SC4135 APPLICATIONS ·Power supplies,relay drivers,lamp drivers 文件：323.12 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SA1593-252	文件：304.08 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -120V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 100(Min)@ IC= -0.1A ·Ultrahigh-speed switching ·Complementary to 2SC4135 APPLICATIONS ·Power supplies,relay drivers,lamp drivers 文件：304.08 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SA1593S-E	文件：385.87 Kbytes Page：9 Pages	Bipolar Transistor Adoption of FBET, MBIT processes Features • Adoption of FBET, MBIT processes • High breakdown voltage and large current capacity • Fast switching speed • Small and slim package permitting 2SA1593/2SC4135-applied sets to be made more compact Applications • Power supplies, relay derivers, lamp drivers 文件：385.87 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Status：
Active
Polarity：
PNP
Type：
Low VCE(sat)
VCE(sat) Max (V)：
0.6
IC Cont. (A)：
2
VCEO Min (V)：
100
VCBO (V)：
120
VEBO (V)：
6
VBE(sat) (V)：
0.85
hFE Min：
140
hFE Max：
280
PTM Max (W)：
1
Package Type：
DPAK-3/TO-252-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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