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2SC2714	文件：162.48 Kbytes Page：3 Pages	Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES ●Smallreversetransfercapacitance:Cre=0.7pF(Typ.) ●LownoiseFigure:NF=2.5dB(Typ.)f=100MHz APPLICATIONS ●Highfrequencyamplifierapplications ●FM,RF,MIX,IFAmplifierapplications	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
2SC2714	文件：36.47 Kbytes Page：1 Pages	Silicon NPN Epitaxial ■Features ●CollectorCurrentCapabilityIC=20mA ●CollectorEmitterVoltageVCEO=30V	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SC2714	文件：710.05 Kbytes Page：3 Pages	NPN Plastic-Encapsulate Transistor FEATURES ●SmallreverseTransferCapacitance：Cre=0.7pF(typ.) ●LowNoiseFigure：NF=2.5dB(typ.)(f=100MHz)	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SC2714	文件：671.26 Kbytes Page：2 Pages	NPN General Purpose Transistors NPNGeneralPurposeTransistors P/bLead(Pb)-Free	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
2SC2714	文件：472.5 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●SmallreverseTransferCapacitance:Cre=0.7pF(typ.) ●LowNoiseFigure:NF=2.5dB(typ.)(f=100MHz)	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
2SC2714	文件：556.02 Kbytes Page：3 Pages	NPN Transistors ■Features ●CollectorCurrentCapabilityIC=20mA ●CollectorEmitterVoltageVCEO=30V	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
2SC2714	文件：548.66 Kbytes Page：8 Pages	High Frequency Amplifier Applications FM, RF, MIX, IF Amplifier Applications HighFrequencyAmplifierApplications FM,RF,MIX,IFAmplifierApplications •Smallreversetransfercapacitance:Cre=0.7pF(typ.) •Lownoisefigure:NF=2.5dB(typ.)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
2SC2714	文件：736.56 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN transistor in a SOT-23 Plastic Package Descriptions SiliconNPNtransistorinaSOT-23PlasticPackage. Features Smallreversetransfercapacitance,lownoisefigure. Applications Highfrequencyamplifierapplications.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
2SC2714	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
2SC2714	文件：1.06623 Mbytes Page：2 Pages	Marking：QR/QO/QY；Package：SOT-23；Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES ●Smallreversetransfercapacitance: Cre=0.7pF(Typ.) ●LownoiseFigure:NF=2.5dB(Typ.) f=100MHz APPLICATIONS ●Highfrequencyamplifierapplications ●FM,RF,MIX,IFAmplifierapplications	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG

详细参数

型号：
2SC2714
制造商：
Toshiba America Electronic Components
功能描述：
TRANS RF NPN 30V 550MHZ S-MINI

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