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SPRINGFIELD, NEW JERSEY 07081 SILICON NPN/PNP POWER TRANSISTOR 文件：123.99 Kbytes 页数：1 Pages | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司 | NJSEMI | ||
Power Transistors Power Transistors TO-66 Case 文件：51.32 Kbytes 页数：1 Pages | CENTRAL | CENTRAL | ||
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NPN Darlington Transistor This device is designed for applications requiring extremely high current gain at currents to 1.0 A. Sourced from Process 05. See MPSA14 for characteristics. 文件：25.37 Kbytes 页数：2 Pages | FAIRCHILD 仙童半导体 | FAIRCHILD | ||
Darlington Transistors(NPN Silicon) Darlington Transistors NPN Silicon Features • Pb−Free Packages are Available** • Device Marking: Device Type, e.g., 2N6426, Date Code 文件：153.51 Kbytes 页数：6 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | ||
NPN Darlington transistor DESCRIPTION NPN Darlington transistor in a TO-92; SOT54 plastic package. FEATURES • High current (max. 500 mA) • Low voltage (max. 30 V) • High DC current gain (min. 10000). APPLICATIONS • General purpose • High gain amplification. 文件：49.12 Kbytes 页数：8 Pages | PHI PHI | PHI | ||
NPN EPITAXIAL SILICON DARLINGTON TRANSISTOR DARLINGTON TRANSISTOR • Collector-Emitter Voltage: VCEO = 40V • Collector Dissipation: PC(max) = 625mW 文件：67.95 Kbytes 页数：2 Pages | SAMSUNG 三星 | SAMSUNG | ||
Darlington Transistors(NPN Silicon) Darlington Transistors NPN Silicon Features • Pb−Free Packages are Available** • Device Marking: Device Type, e.g., 2N6426, Date Code 文件：153.51 Kbytes 页数：6 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | ||
NPN Darlington Transistor NPN Darlington Transistor This device is designed for applications requiring extremely high current gain at collector currents to 1.0 A. Sourced from Process 05. See MPSA14 for characteristics. 文件：93.89 Kbytes 页数：2 Pages | FAIRCHILD 仙童半导体 | FAIRCHILD | ||
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
文件：34.74 Kbytes 页数：1 Pages | SAMSUNG 三星 | SAMSUNG |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-N+Darl
- 性质：
通用型 （Uni）
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
40V
- 最大电流允许值：
0.5A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
BC517,BC617,MPS-A25,MPS-A26,MPS-A27,MPS-A28,MPS-A29,2SD892A,
- 最大耗散功率：
0.625W
- 放大倍数：
β>20000
- 图片代号：
A-31
- vtest：
40
- htest：
999900
- atest：
0.5
- wtest：
0.625
产品属性
- 产品编号：
2N6426
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
剪切带（CT）带盒（TB）
- 晶体管类型：
NPN - 达林顿
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.5V @ 500µA，500mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
1µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
30000 @ 100mA，5V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 长体
- 供应商器件封装：
TO-92（TO-226）
- 描述：
TRANS NPN DARL 40V 0.5A TO92
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi |
25+ |
TO-92(TO-226) |
18798 |
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