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COMPLEMENTARY MEDIUM-POWER HIGH VOLTAGE POWER TRANSISTORS
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Power Transistors Power Transistors TO-66 Case 文件:51.32 Kbytes 页数:1 Pages | CENTRAL | CENTRAL | ||
POWER TRANSISTORS(35W)
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isc Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION • Contunuous Collector Current-IC= -1A • Power Dissipation-PC= 35W @TC= 25℃ • Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= -5.0 V(Max)@ IC = -1A APPLICATIONS • Designed for high-speed switching and linear amplifier application for high-voltage operational amplifiers, switchi 文件:56.49 Kbytes 页数:2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | ||
Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-66 package • Continuous collector current-IC=-1A • Power dissipation -PD=35W @TC=25℃ • Complement to type 2N3583 APPLICATIONS • High speed switching and linear amplifier • High-voltage operational amplifiers • Switching regulators ,converters • Deflection stages and 文件:154.19 Kbytes 页数:3 Pages | JMNIC 锦美电子 | JMNIC | ||
SPRINGFIELD, NEW JERSEY 07081 Silicon NPN, PNP Power Transostors 文件:362.52 Kbytes 页数:2 Pages | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司 | NJSEMI | ||
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Power Transistors Power Transistors TO-66 Case 文件:51.32 Kbytes 页数:1 Pages | CENTRAL | CENTRAL |
晶体管资料
- 型号:
- 别名:
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家:
- 制作材料:
Si-N+Darl
- 性质:
通用型 (Uni)
- 封装形式:
直插封装
- 极限工作电压:
40V
- 最大电流允许值:
0.5A
- 最大工作频率:
<1MHZ或未知
- 引脚数:
3
- 可代换的型号:
BC517,BC617,MPS-A25,MPS-A26,MPS-A27,MPS-A28,MPS-A29,2SD892A,
- 最大耗散功率:
0.625W
- 放大倍数:
β>20000
- 图片代号:
A-31
- vtest:
40
- htest:
999900
- atest:
0.5
- wtest:
0.625
产品属性
- 产品编号:
2N6426
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
剪切带(CT)带盒(TB)
- 晶体管类型:
NPN - 达林顿
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
1.5V @ 500µA,500mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
1µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
30000 @ 100mA,5V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-226-3,TO-92-3 长体
- 供应商器件封装:
TO-92(TO-226)
- 描述:
TRANS NPN DARL 40V 0.5A TO92
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi |
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TO-92(TO-226) |
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