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2N6428A

NPN Epitaxial Silicon Transistor

Amplifier Transistor • Collector-Emitter Voltage: VCEO= 50V • Collector Dissipation: PC (max)=625mW

文件:110.81 Kbytes 页数:3 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

2N6428A

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

文件:35.92 Kbytes 页数:1 Pages

SAMSUNG

三星

2N6420

Silicon PNP Power Transistors

文件:154.19 Kbytes 页数:3 Pages

JMNIC

锦美电子

2N6420

Silicon PNP Power Transistors

文件:115.19 Kbytes 页数:3 Pages

SAVANTIC

2N6421

isc Silicon PNP Power Transistor

文件:146.69 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

2N6422

isc Silicon PNP Power Transistor

文件:265.67 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

2N6423

SI PNP POWER BJT

文件:75.68 Kbytes 页数:1 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

2N6423

isc Silicon PNP Power Transistor

文件:265.64 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

2N6425

Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO66 Metal Package

文件:11.09 Kbytes 页数:1 Pages

SEME-LAB

2N6425

isc Silicon PNP Power Transistor

文件:264.33 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

晶体管资料

  • 型号:

    2N6426

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-N+Darl

  • 性质:

    通用型 (Uni)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    40V

  • 最大电流允许值:

    0.5A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BC517,BC617,MPS-A25,MPS-A26,MPS-A27,MPS-A28,MPS-A29,2SD892A,

  • 最大耗散功率:

    0.625W

  • 放大倍数:

    β>20000

  • 图片代号:

    A-31

  • vtest:

    40

  • htest:

    999900

  • atest:

    0.5

  • wtest:

    0.625

产品属性

  • 产品编号:

    2N6426

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    剪切带(CT)带盒(TB)

  • 晶体管类型:

    NPN - 达林顿

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1.5V @ 500µA,500mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    1µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    30000 @ 100mA,5V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-226-3,TO-92-3 长体

  • 供应商器件封装:

    TO-92(TO-226)

  • 描述:

    TRANS NPN DARL 40V 0.5A TO92

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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TO-92(TO-226)
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更多2N642供应商 更新时间2026-3-10 23:00:00