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2N6428	文件：34.74 Kbytes Page：1 Pages	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR 文件：34.74 Kbytes 页数：1 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
2N6428	文件：300 bytes Page：1 Pages	Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise	Central	Central
2N6428A	文件：35.92 Kbytes Page：1 Pages	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR 文件：35.92 Kbytes 页数：1 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
2N6428A	文件：110.81 Kbytes Page：3 Pages	NPN Epitaxial Silicon Transistor Amplifier Transistor • Collector-Emitter Voltage: VCEO= 50V • Collector Dissipation: PC (max)=625mW 文件：110.81 Kbytes 页数：3 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
2N6428A	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN Epitaxial Silicon Transistor	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N6428 PBFREE	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 50V 0.2A TO92	CENTRAL	CENTRAL
2N6428ABU	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 50V 0.2A TO92-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N6428ATA	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 50V 0.2A TO92-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

晶体管资料

型号：
2N6428(A)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
通用型（Uni）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
0.2A
最大工作频率：
>100MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BC414,BC550,2SC1775(A),2SC2390,
最大耗散功率：
0.625W
放大倍数：
图片代号：
A-20
vtest：
60
htest：
100000100
atest：
0.2
wtest：
0.625

技术参数

Case：
TO-92
Configuration/ Description：
NPN Low Noise
Polarity：
NPN
IC MAX：
200mA
PD MAX：
625mW
VCEO MAX：
50V
hFE MIN：
250
hFE MAX：
650
@VCE：
5V
VCE(SAT) MAX：
200mV
@IC：
10mA
@IB：
500μA
Cob MAX：
3pF
fT MIN：
100MHz

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