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VNS1NV04D13TR

?쏰MNIFET II?? FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

DESCRIPTION The VNS1NV04D is a device formed by two monolithic OMNIFET II chips housed in a standard SO-8 package. The OMNIFET II are designed in STMicroelectronics VIPower M0-3 Technology: they are intended for replacement of standard Power MOSFETS from DC up to 50KHz applications. ■ LINEA

文件:249.88 Kbytes 页数:14 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

VNS3NV04DPTR-E

SOP8

ST

VNS3NV04DPTR-E

SOP-8

ST

VNS3NV04PTR-E

SOP-8

ST/意法

详细参数

  • 型号:

    VNS1NV04D13TR

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch 40V 1.7A Omni

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多VNS1NV04D13TR供应商 更新时间2026-2-2 15:14:00