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VNS1NV04D-E	文件：252.12 Kbytes Page：14 Pages	?쏰MNIFET II?? FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET DESCRIPTION The VNS1NV04D is a device formed by two monolithic OMNIFET II chips housed in a standard SO-8 package. The OMNIFET II are designed in STMicroelectronics VIPower M0-3 Technology: they are intended for replacement of standard Power MOSFETS from DC up to 50KHz applications. ■ LINEA 文件：252.12 Kbytes 页数：14 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
VNS1NV04D-E	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）类别：集成电路（IC）配电开关，负载驱动器描述：IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 8SO	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
VNS1NV04DP-E	文件：383.42 Kbytes Page：24 Pages	OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET Description The VNS1NV04DP-E is a device formed by two monolithic OMNIFET II chips housed in a standard SO-8 package. The OMNIFET II are designed in STMicroelectronics VIPower™ M0-3 technology: they are intended for replacement of standard Power MOSFETs from DC up to 50KHz applications. Built in 文件：383.42 Kbytes 页数：24 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
VNS1NV04DP-E	文件：413.53 Kbytes Page：24 Pages	OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET Features • Linear current limitation • Thermal shutdown • Short circuit protection • Integrated clamp • Low current drawn from input pin • Diagnostic feedback through input pin • ESD protection • Direct access to the gate of the power mosfet (analog driving) • Compatible with standard po 文件：413.53 Kbytes 页数：24 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
VNS1NV04DPTR-E	文件：383.42 Kbytes Page：24 Pages	OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET Description The VNS1NV04DP-E is a device formed by two monolithic OMNIFET II chips housed in a standard SO-8 package. The OMNIFET II are designed in STMicroelectronics VIPower™ M0-3 technology: they are intended for replacement of standard Power MOSFETs from DC up to 50KHz applications. Built in 文件：383.42 Kbytes 页数：24 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

产品属性

产品编号：
VNS1NV04D-E
制造商：
STMicroelectronics
类别：
集成电路（IC） > 配电开关，负载驱动器
系列：
OMNIFET II™, VIPower™
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）
开关类型：
通用
输出数：
2
比率 - 输入：
1：1
输出配置：
低端
输出类型：
N 通道
接口：
开/关
电压 - 负载：
36V（最大）
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：
不需要
电流 - 输出（最大值）：
1.7A
导通电阻（典型值）：
250 毫欧（最大）
输入类型：
非反相
故障保护：
限流（固定），超温，过压
工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
供应商器件封装：
8-SOIC
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
描述：
IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1

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