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VNV35NV0413TR	文件：407.06 Kbytes Page：24 Pages	OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET Features ■ Linear current limitation ■ Thermal shut down ■ Short circuit protection ■ Integrated clamp ■ Low current drawn from input pin ■ Diagnostic feedback through input pin ■ ESD protection ■ Direct access to the gate of the Power MOSFET (analog driving) ■ Compatible with standard P 文件：407.06 Kbytes 页数：24 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
VNV35NV0413TR	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET POWER 40V 30A PWRSO10	ST 意法半导体	ST
VNV35NV0413TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：PowerSO-10 裸露底部焊盘；包装：管件类别：集成电路（IC）配电开关，负载驱动器描述：IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 PWRSO10	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
VNB35NV0413TR	文件：407.06 Kbytes Page：24 Pages	OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET Features ■ Linear current limitation ■ Thermal shut down ■ Short circuit protection ■ Integrated clamp ■ Low current drawn from input pin ■ Diagnostic feedback through input pin ■ ESD protection ■ Direct access to the gate of the Power MOSFET (analog driving) ■ Compatible with standard P 文件：407.06 Kbytes 页数：24 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

产品属性

产品编号：
VNV35NV0413TR
制造商：
STMicroelectronics
类别：
集成电路（IC） > 配电开关，负载驱动器
系列：
OMNIFET II™, VIPower™
包装：
管件
开关类型：
通用
输出数：
1
比率 - 输入：
1：1
输出配置：
低端
输出类型：
N 通道
接口：
开/关
电压 - 负载：
36V（最大）
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：
不需要
电流 - 输出（最大值）：
30A
导通电阻（典型值）：
10 毫欧（最大）
输入类型：
非反相
故障保护：
限流（固定），超温，过压
工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
供应商器件封装：
10-PowerSO
封装/外壳：
PowerSO-10 裸露底部焊盘
描述：
IC PWR DRIVER N-CHAN 1

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