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VNW35NV04	文件：309.85 Kbytes Page：19 Pages	OMNIFET II FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET DESCRIPTION The VNB35NV04, VNP35NV04, VNV35NV04, VNW35NV04 are monolithic devices designed in STMicroelectronics VIPower M0-3 Technology, intended for replacement of standard Power MOSFETS from DC up to 25KHz applications. Built in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage clamp 文件：309.85 Kbytes 页数：19 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
VNW35NV04	文件：310.77 Kbytes Page：19 Pages	FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET 文件：310.77 Kbytes 页数：19 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
VNB35NV04	文件：310.77 Kbytes Page：19 Pages	FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET 文件：310.77 Kbytes 页数：19 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
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VNB35NV04	文件：407.06 Kbytes Page：24 Pages	OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET Features ■ Linear current limitation ■ Thermal shut down ■ Short circuit protection ■ Integrated clamp ■ Low current drawn from input pin ■ Diagnostic feedback through input pin ■ ESD protection ■ Direct access to the gate of the Power MOSFET (analog driving) ■ Compatible with standard P 文件：407.06 Kbytes 页数：24 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

详细参数

型号：
VNW35NV04
功能描述：
电源开关 IC - 配电 VIPOWER
RoHS：
否
制造商：
Exar
输出端数量：
1
开启电阻（最大值）：
85 mOhms
开启时间（最大值）：
400 us
关闭时间（最大值）：
20 us
工作电源电压：
3.2 V to 6.5 V
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SOT-23-5

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