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VNS3NV04D	文件：241.6 Kbytes Page：14 Pages	?쏰MNIFET II?? FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET DESCRIPTION The VNS3NV04D is a device formed by two monolithic OMNIFET II chips housed in a standard SO-8 package. The OMNIFET II are designed in STMicroelectronics VIPower M0-3 Technology: they are intended for replacement of standard Power MOSFETS from DC up to 50KHz applications. Built in ther 文件：241.6 Kbytes 页数：14 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
VNS3NV04D-E	文件：357.06 Kbytes Page：21 Pages	OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET Description The VNS3NV04D-E is a device formed by two monolithic OMNIFET II chips housed in a standard SO-8 package. The OMNIFET II are designed in STMicroelectronics VIPower M0-3 Technology: they are intended for replacement of standard Power MOSFETs from DC up to 50KHz applications. Built in th 文件：357.06 Kbytes 页数：21 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
VNS3NV04DP-E	文件：382.89 Kbytes Page：21 Pages	Automotive OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET Features  AEC-Q100 qualified  ECOPACK: lead free and RoHS compliant  Linear current limitation  Thermal shutdown  Short-circuit protection  Integrated clamp  Low current drawn from input pin  Diagnostic feedback through input pin  ESD protection  Direct access to the gate of t 文件：382.89 Kbytes 页数：21 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
VNS3NV04DP-E_V01	文件：382.89 Kbytes Page：21 Pages	Automotive OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET Features  AEC-Q100 qualified  ECOPACK: lead free and RoHS compliant  Linear current limitation  Thermal shutdown  Short-circuit protection  Integrated clamp  Low current drawn from input pin  Diagnostic feedback through input pin  ESD protection  Direct access to the gate of t 文件：382.89 Kbytes 页数：21 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
VNS3NV04DPTR-E	文件：382.89 Kbytes Page：21 Pages	Automotive OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET Features  AEC-Q100 qualified  ECOPACK: lead free and RoHS compliant  Linear current limitation  Thermal shutdown  Short-circuit protection  Integrated clamp  Low current drawn from input pin  Diagnostic feedback through input pin  ESD protection  Direct access to the gate of t 文件：382.89 Kbytes 页数：21 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
VNS3NV04DTR-E	文件：357.06 Kbytes Page：21 Pages	OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET Description The VNS3NV04D-E is a device formed by two monolithic OMNIFET II chips housed in a standard SO-8 package. The OMNIFET II are designed in STMicroelectronics VIPower M0-3 Technology: they are intended for replacement of standard Power MOSFETs from DC up to 50KHz applications. Built in th 文件：357.06 Kbytes 页数：21 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
VNS3NV04D13TR	文件：249.33 Kbytes Page：14 Pages	OMNIFET II FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET 文件：249.33 Kbytes 页数：14 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
VNS3NV04DP-E	文件：289.94 Kbytes Page：21 Pages	OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET 文件：289.94 Kbytes 页数：21 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
VNS3NV04DPTR-E	文件：289.94 Kbytes Page：21 Pages	OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET 文件：289.94 Kbytes 页数：21 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
VNS3NV04D	文件：300 bytes Page：1 Pages	“OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET	ST 意法半导体	ST

产品属性

产品编号：
VNS3NV04D
制造商：
STMicroelectronics
类别：
集成电路（IC） > 配电开关，负载驱动器
系列：
OMNIFET II™, VIPower™
包装：
管件
开关类型：
通用
输出数：
2
比率 - 输入：
1：1
输出配置：
低端
输出类型：
N 通道
接口：
开/关
电压 - 负载：
36V（最大）
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：
不需要
电流 - 输出（最大值）：
3.5A
导通电阻（典型值）：
120 毫欧（最大）
输入类型：
非反相
故障保护：
限流（固定），超温，过压
工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
供应商器件封装：
8-SOIC
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
描述：
IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1

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