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VNS3NV04	文件：418.58 Kbytes Page：21 Pages	?쏰MNIFET II?? FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET Description TheVNN3NV04,VNS3NV04,VND3NV04VND3NV04-1,aremonolithicdevicesdesignedinSTMicroelectronicsVIPowerM0-3Technology,intendedforreplacementofstandardPowerMOSFETsfromDCupto50kHzapplications. Features ■Linearcurrentlimitation ■Thermalshutdown ■Shortcircuit	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
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VNS3NV04D	文件：241.6 Kbytes Page：14 Pages	?쏰MNIFET II?? FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET DESCRIPTION TheVNS3NV04DisadeviceformedbytwomonolithicOMNIFETIIchipshousedinastandardSO-8package.TheOMNIFETIIaredesignedinSTMicroelectronicsVIPowerM0-3Technology:theyareintendedforreplacementofstandardPowerMOSFETSfromDCupto50KHzapplications.Builtinther	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
VNS3NV04D-E	文件：357.06 Kbytes Page：21 Pages	OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET Description TheVNS3NV04D-EisadeviceformedbytwomonolithicOMNIFETIIchipshousedinastandardSO-8package.TheOMNIFETIIaredesignedinSTMicroelectronicsVIPowerM0-3Technology:theyareintendedforreplacementofstandardPowerMOSFETsfromDCupto50KHzapplications.Builtinth	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
VNS3NV04DTR-E	文件：357.06 Kbytes Page：21 Pages	OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET Description TheVNS3NV04D-EisadeviceformedbytwomonolithicOMNIFETIIchipshousedinastandardSO-8package.TheOMNIFETIIaredesignedinSTMicroelectronicsVIPowerM0-3Technology:theyareintendedforreplacementofstandardPowerMOSFETsfromDCupto50KHzapplications.Builtinth	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
VNS3NV0413TR	文件：493.65 Kbytes Page：26 Pages	OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
VNS3NV04D13TR	文件：249.33 Kbytes Page：14 Pages	OMNIFET II FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
VNS3NV04DP-E	文件：289.94 Kbytes Page：21 Pages	OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
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VNS3NV04P-E	文件：287.49 Kbytes Page：22 Pages	fully autoprotected Power MOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
VNS3NV04D13TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）类别：集成电路（IC）配电开关，负载驱动器描述：MOSFET 2N-CH 40V 3.5A 8-SOIC	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
VNS3NV04D-E	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）类别：集成电路（IC）配电开关，负载驱动器描述：IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 8SO	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
VNS3NV04DP-E	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）类别：集成电路（IC）配电开关，负载驱动器描述：IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 8SO	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
3NV04D	文件：241.6 Kbytes Page：14 Pages	?쏰MNIFETII??FULLYAUTOPROTECTEDPOWERMOSFET DESCRIPTION TheVNS3NV04DisadeviceformedbytwomonolithicOMNIFETIIchipshousedinastandardSO-8package.TheOMNIFETIIaredesignedinSTMicroelectronicsVIPowerM0-3Technology:theyareintendedforreplacementofstandardPowerMOSFETSfromDCupto50KHzapplications.Builtinther	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
VND3NV04	文件：418.58 Kbytes Page：21 Pages	?쏰MNIFETII??FULLYAUTOPROTECTEDPOWERMOSFET Description TheVNN3NV04,VNS3NV04,VND3NV04VND3NV04-1,aremonolithicdevicesdesignedinSTMicroelectronicsVIPowerM0-3Technology,intendedforreplacementofstandardPowerMOSFETsfromDCupto50kHzapplications. Features ■Linearcurrentlimitation ■Thermalshutdown ■Shortcircuit	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
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VND3NV04TR-E	文件：493.65 Kbytes Page：26 Pages	OMNIFETIIfullyautoprotectedPowerMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
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详细参数

型号：
VNS3NV04
功能描述：
电源开关 IC - 配电 N-Ch 40V 3.5A Omni
RoHS：
否
制造商：
Exar
输出端数量：
1
开启电阻（最大值）：
85 mOhms
开启时间（最大值）：
400 us
关闭时间（最大值）：
20 us
工作电源电压：
3.2 V to 6.5 V
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SOT-23-5

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更多VNS3NV04供应商更新时间2024-4-19 16:31:00

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