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VNS3NV04-E

Package:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装:管件 类别:集成电路(IC) 配电开关,负载驱动器 描述:IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 8SO

STMICROELECTRONICS

意法半导体

VNS3NV04P-E

fully autoprotected Power MOSFET

文件:287.49 Kbytes 页数:22 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

3NV04D

?쏰MNIFET II?? FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

DESCRIPTION The VNS3NV04D is a device formed by two monolithic OMNIFET II chips housed in a standard SO-8 package. The OMNIFET II are designed in STMicroelectronics VIPower M0-3 Technology: they are intended for replacement of standard Power MOSFETS from DC up to 50KHz applications. Built in ther

文件:241.6 Kbytes 页数:14 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

VND3NV04

?쏰MNIFET II?? FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

Description The VNN3NV04, VNS3NV04, VND3NV04 VND3NV04-1, are monolithic devices designed in STMicroelectronics VIPower M0-3 Technology, intended for replacement of standard Power MOSFETs from DC up to 50 kHz applications. Features ■ Linear current limitation ■ Thermal shutdown ■ Short circuit

文件:418.58 Kbytes 页数:21 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

VND3NV04

OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET

文件:493.65 Kbytes 页数:26 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

产品属性

  • 产品编号:

    VNS3NV04-E

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    集成电路(IC) > 配电开关,负载驱动器

  • 系列:

    OMNIFET II™, VIPower™

  • 包装:

    管件

  • 开关类型:

    通用

  • 输出数:

    1

  • 比率 - 输入:

    1:1

  • 输出配置:

    低端

  • 输出类型:

    N 通道

  • 接口:

    开/关

  • 电压 - 负载:

    36V(最大)

  • 电压 - 供电 (Vcc/Vdd):

    不需要

  • 电流 - 输出(最大值):

    3.5A

  • 导通电阻(典型值):

    120 毫欧(最大)

  • 输入类型:

    非反相

  • 故障保护:

    限流(固定),超温,过压

  • 工作温度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 供应商器件封装:

    8-SOIC

  • 封装/外壳:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

  • 描述:

    IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多VNS3NV04-E供应商 更新时间2025-10-20 10:38:00