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UPA808T-T1	文件：65.4 Kbytes Page：12 Pages	MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS SUPER MINI MOLD FEATURES •LowNoise NF=1.3dBTYP.@VCE=2V,IC=3mA,f=2GHz NF=1.3dBTYP.@VCE=1V,IC=3mA,f=2GHz •ASuperMiniMoldPackageAdopted •Built-in2Transistors(2×2SC5184)	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
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UPA808T-T1

文件：65.4 Kbytes

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MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS SUPER MINI MOLD

FEATURES •LowNoise NF=1.3dBTYP.@VCE=2V,IC=3mA,f=2GHz NF=1.3dBTYP.@VCE=1V,IC=3mA,f=2GHz •ASuperMiniMoldPackageAdopted •Built-in2Transistors(2×2SC5184)

NECRenesas Electronics America

瑞萨日本瑞萨电子株式会社

NEC

UPA808T-T1

文件：282.72 Kbytes

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SILICON TRANSISTOR

MICROWAVELOWNOISEAMPLIFIER NPNSILICONEPITAXIALTRANSISTOR (WITHBUILT-IN2ELEMENTS)SUPERMINIMOLD FEATURES •LowNoise NF=1.3dBTYP.@VCE=2V,IC=3mA,f=2GHz NF=1.3dBTYP.@VCE=1V,IC=3mA,f=2GHz •ASuperMiniMoldPackageAdopted •Built-in2Transistors

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

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UPA808T-T1-A

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NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

CEL

California Eastern Labs

CEL

详细参数

型号：
UPA808T-T1
制造商：
NEC
制造商全称：
NEC
功能描述：
MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS SUPER MINI MOLD

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市一线半导体有限公司	UPA808T-T1	NEC	24+	SOT-363/SOT-323-6	8200	新进库存/原装	询价
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更多UPA808T-T1供应商更新时间2025-7-23 17:05:00

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