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UPA811	文件：49.15 Kbytes Page：6 Pages	HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC4228 SMALL MINI MOLD TheµPA811Thasbuilt-in2low-voltagetransistorswhicharedesignedtoamplifylownoiseintheVHFbandtotheUHFband. FEATURES •LowNoise NF=1.9dBTYP.@f=2GHz,VCE=1V,IC=3mA •HighGain \|S21e\|2=6.5dBTYP.@f=2GHz,VCE=1V,IC=3mA •ASmallMiniMold	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
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UPA811T	文件：219.4 Kbytes Page：8 Pages	HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR TheµPA811Thasbuilt-in2low-voltagetransistorswhicharedesignedtoamplifylownoiseintheVHFbandtotheUHFband. FEATURES •LowNoise NF=1.9dBTYP.@f=2GHz,VCE=1V,IC=3mA •HighGain \|S21e\|2=6.5dBTYP.@f=2GHz,VCE=1V,IC=3mA •ASmallMiniMold	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA811T-T1	文件：49.15 Kbytes Page：6 Pages	HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC4228 SMALL MINI MOLD TheµPA811Thasbuilt-in2low-voltagetransistorswhicharedesignedtoamplifylownoiseintheVHFbandtotheUHFband. FEATURES •LowNoise NF=1.9dBTYP.@f=2GHz,VCE=1V,IC=3mA •HighGain \|S21e\|2=6.5dBTYP.@f=2GHz,VCE=1V,IC=3mA •ASmallMiniMold	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPA811T-T1	文件：219.4 Kbytes Page：8 Pages	HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR TheµPA811Thasbuilt-in2low-voltagetransistorswhicharedesignedtoamplifylownoiseintheVHFbandtotheUHFband. FEATURES •LowNoise NF=1.9dBTYP.@f=2GHz,VCE=1V,IC=3mA •HighGain \|S21e\|2=6.5dBTYP.@f=2GHz,VCE=1V,IC=3mA •ASmallMiniMold	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA811T	文件：194.94 Kbytes Page：4 Pages	NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR	CEL California Eastern Labs	CEL
UPA811T	文件：480.88 Kbytes Page：3 Pages	NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR	CEL California Eastern Labs	CEL
UPA811T_09	文件：480.88 Kbytes Page：3 Pages	NPN SILICON HIGH	CEL California Eastern Labs	CEL
UPA811T_V1	文件：480.88 Kbytes Page：3 Pages	NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR	CEL California Eastern Labs	CEL
UPA811T-T1-A	文件：194.94 Kbytes Page：4 Pages	NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR	CEL California Eastern Labs	CEL

详细参数

型号：
UPA811
制造商：
NEC
制造商全称：
NEC
功能描述：
HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC4228 SMALL MINI MOLD

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多UPA811供应商更新时间2025-7-22 10:20:00

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