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UPA811T-T1中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

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厂商型号

UPA811T-T1

功能描述

HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

文件大小

219.4 Kbytes

页面数量

8

生产厂商

RENESAS

中文名称

瑞萨

网址

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数据手册

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更新时间

2025-12-15 20:00:00

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UPA811T-T1规格书详情

The µPA811T has built-in 2 low-voltage transistors which are designed to amplify low noise in the VHF band to the UHF band.

FEATURES

• Low Noise

NF = 1.9 dB TYP. @ f = 2 GHz, VCE = 1 V, IC = 3 mA

• High Gain

|S21e|2 = 6.5 dB TYP. @ f = 2 GHz, VCE = 1 V, IC = 3 mA

• A Small Mini Mold Package Adopted

• Built-in 2 Transistors (2 × 2SC4228)

产品属性

  • 型号:

    UPA811T-T1

  • 制造商:

    California Eastern Laboratories(CEL)

  • 功能描述:

    Trans GP BJT NPN 10V 0.035A 6-Pin SOT-363 T/R

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NEC
24+
NA/
24250
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SOT-363SO
23+
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5000
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