UPA811T分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

| 厂商型号 |
UPA811T |
| 参数属性 | UPA811T 封装/外壳为6-TSSOP,SC-88,SOT-363;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS 2 NPN 10V 8GHZ SOT363 |
| 功能描述 | HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC4228 SMALL MINI MOLD |
| 封装外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
| 文件大小 |
49.15 Kbytes |
| 页面数量 |
6 页 |
| 生产厂商 | NEC |
| 中文名称 | 瑞萨 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-26 23:00:00 |
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UPA811T规格书详情
The µPA811T has built-in 2 low-voltage transistors which are designed to amplify low noise in the VHF band to the UHF band.
FEATURES
• Low Noise
NF = 1.9 dB TYP. @ f = 2 GHz, VCE = 1 V, IC = 3 mA
• High Gain
|S21e|2 = 6.5 dB TYP. @ f = 2 GHz, VCE = 1 V, IC = 3 mA
• A Small Mini Mold Package Adopted
• Built-in 2 Transistors (2 × 2SC4228)
产品属性
- 产品编号:
UPA811T-A
- 制造商:
CEL
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频
- 包装:
卷带(TR)
- 晶体管类型:
2 NPN(双)
- 电压 - 集射极击穿(最大值):
10V
- 频率 - 跃迁:
8GHz
- 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):
1.9dB @ 2GHz
- 增益:
7.5dB
- 功率 - 最大值:
200mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
80 @ 5mA,3V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
35mA
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商器件封装:
SOT-363
- 描述:
RF TRANS 2 NPN 10V 8GHZ SOT363
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
24+ |
NA/ |
24250 |
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NEC |
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RENESAS/瑞萨 |
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NEC |
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RENESAS/瑞萨 |
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