首页>UPA811T>规格书详情

UPA811T分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

UPA811T
厂商型号

UPA811T

参数属性

UPA811T 封装/外壳为6-TSSOP,SC-88,SOT-363;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS 2 NPN 10V 8GHZ SOT363

功能描述

HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC4228 SMALL MINI MOLD

封装外壳

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

文件大小

49.15 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 Renesas Electronics America
企业简称

NEC瑞萨

中文名称

日本瑞萨电子株式会社官网

原厂标识
数据手册

下载地址一下载地址二到原厂下载

更新时间

2025-5-17 8:00:00

人工找货

UPA811T价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

UPA811T规格书详情

The µPA811T has built-in 2 low-voltage transistors which are designed to amplify low noise in the VHF band to the UHF band.

FEATURES

• Low Noise

NF = 1.9 dB TYP. @ f = 2 GHz, VCE = 1 V, IC = 3 mA

• High Gain

|S21e|2 = 6.5 dB TYP. @ f = 2 GHz, VCE = 1 V, IC = 3 mA

• A Small Mini Mold Package Adopted

• Built-in 2 Transistors (2 × 2SC4228)

产品属性

  • 产品编号:

    UPA811T-A

  • 制造商:

    CEL

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    2 NPN(双)

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    10V

  • 频率 - 跃迁:

    8GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    1.9dB @ 2GHz

  • 增益:

    7.5dB

  • 功率 - 最大值:

    200mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    80 @ 5mA,3V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    35mA

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    6-TSSOP,SC-88,SOT-363

  • 供应商器件封装:

    SOT-363

  • 描述:

    RF TRANS 2 NPN 10V 8GHZ SOT363

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
CEL
23+
原厂原包
19960
只做进口原装 终端工厂免费送样
询价
NEC
2023+
SOT-363
8800
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。
询价
NEC
21+
SOT-363
3900
原装现货假一赔十
询价
NEC
24+
NA/
24250
原装现货,当天可交货,原型号开票
询价
NEC
02+
SOT-363
3900
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
询价
SOT-363SO
23+
NA
15659
振宏微专业只做正品,假一罚百!
询价
NEC
23+
SOT-363
11200
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO
询价
RENESAS
23+
SOT-363
63000
原装正品现货
询价
NEC
24+
R6SMM3000PCS
2987
绝对全新原装现货供应!
询价
RENESAS/瑞萨
21+
NA
12820
只做原装,质量保证
询价