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UPA811T	文件：49.15 Kbytes Page：6 Pages	HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC4228 SMALL MINI MOLD The µPA811T has built-in 2 low-voltage transistors which are designed to amplify low noise in the VHF band to the UHF band. FEATURES • Low Noise NF = 1.9 dB TYP. @ f = 2 GHz, VCE = 1 V, IC = 3 mA • High Gain \|S21e\|2 = 6.5 dB TYP. @ f = 2 GHz, VCE = 1 V, IC = 3 mA • A Small Mini Mold 文件：49.15 Kbytes 页数：6 Pages	NEC 瑞萨	NEC
UPA811T	文件：219.4 Kbytes Page：8 Pages	HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR The µPA811T has built-in 2 low-voltage transistors which are designed to amplify low noise in the VHF band to the UHF band. FEATURES • Low Noise NF = 1.9 dB TYP. @ f = 2 GHz, VCE = 1 V, IC = 3 mA • High Gain \|S21e\|2 = 6.5 dB TYP. @ f = 2 GHz, VCE = 1 V, IC = 3 mA • A Small Mini Mold 文件：219.4 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
UPA811T	文件：194.94 Kbytes Page：4 Pages	NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR 文件：194.94 Kbytes 页数：4 Pages	CEL	CEL
UPA811T	文件：480.88 Kbytes Page：3 Pages	NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR 文件：480.88 Kbytes 页数：3 Pages	CEL	CEL
UPA811T-T1	文件：49.15 Kbytes Page：6 Pages	HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC4228 SMALL MINI MOLD The µPA811T has built-in 2 low-voltage transistors which are designed to amplify low noise in the VHF band to the UHF band. FEATURES • Low Noise NF = 1.9 dB TYP. @ f = 2 GHz, VCE = 1 V, IC = 3 mA • High Gain \|S21e\|2 = 6.5 dB TYP. @ f = 2 GHz, VCE = 1 V, IC = 3 mA • A Small Mini Mold 文件：49.15 Kbytes 页数：6 Pages	NEC 瑞萨	NEC
UPA811T-T1	文件：219.4 Kbytes Page：8 Pages	HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR The µPA811T has built-in 2 low-voltage transistors which are designed to amplify low noise in the VHF band to the UHF band. FEATURES • Low Noise NF = 1.9 dB TYP. @ f = 2 GHz, VCE = 1 V, IC = 3 mA • High Gain \|S21e\|2 = 6.5 dB TYP. @ f = 2 GHz, VCE = 1 V, IC = 3 mA • A Small Mini Mold 文件：219.4 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
UPA811T_09	文件：480.88 Kbytes Page：3 Pages	NPN SILICON HIGH 文件：480.88 Kbytes 页数：3 Pages	CEL	CEL
UPA811T_V1	文件：480.88 Kbytes Page：3 Pages	NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR 文件：480.88 Kbytes 页数：3 Pages	CEL	CEL
UPA811T-T1-A	文件：480.88 Kbytes Page：3 Pages	NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR 文件：480.88 Kbytes 页数：3 Pages	CEL	CEL
UPA811T-T1-A	文件：194.94 Kbytes Page：4 Pages	NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR 文件：194.94 Kbytes 页数：4 Pages	CEL	CEL

详细参数

型号：
UPA811T
制造商：
California Eastern Laboratories(CEL)
功能描述：
Trans GP BJT NPN 10V 0.035A 6-Pin SOT-363 T/R

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多UPA811T供应商更新时间2025-10-4 16:01:00

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