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UPA836TF-T1

NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR

DESCRIPTION The µPA836TF has two different built-in transistors (Q1 and Q2) for low noise amplification in the VHF band to UHF band. FEATURES • Low noise Q1 : NF = 1.5 dB TYP. @f = 2 GHz, VCE = 3 V, IC = 3 mA Q2 : NF = 1.7 dB TYP. @f = 2 GHz, VCE = 1 V, IC = 3 mA • High gain Q1 : |

文件:79.54 Kbytes 页数:11 Pages

NEC

瑞萨

UPB1507GV-E1-A

SSOP8

RENESAS

瑞萨

上传:深圳市正纳电子有限公司

UPB1509GV-E1

SOP

UPB8216C

DIP16

UPB8284AD

DIP-18

详细参数

  • 型号:

    UPA836TF-T1

  • 制造商:

    NEC

  • 制造商全称:

    NEC

  • 功能描述:

    NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH 2 DIFFERENT ELEMENTS IN A 6-PIN THIN-TYPE SMALL MINI MOLD PACKAGE

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多UPA836TF-T1供应商 更新时间2025-12-9 18:59:00