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UPA811T分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

UPA811T
厂商型号

UPA811T

参数属性

UPA811T 封装/外壳为6-TSSOP,SC-88,SOT-363;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS 2 NPN 10V 8GHZ SOT363

功能描述

NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
RF TRANS 2 NPN 10V 8GHZ SOT363

封装外壳

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

文件大小

480.88 Kbytes

页面数量

3

生产厂商 California Eastern Labs
企业简称

CEL

中文名称

California Eastern Labs官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-21 23:00:00

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UPA811T规格书详情

UPA811T属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频。由California Eastern Labs制造生产的UPA811T晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    UPA811T-A

  • 制造商:

    CEL

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    2 NPN(双)

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    10V

  • 频率 - 跃迁:

    8GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    1.9dB @ 2GHz

  • 增益:

    7.5dB

  • 功率 - 最大值:

    200mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    80 @ 5mA,3V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    35mA

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    6-TSSOP,SC-88,SOT-363

  • 供应商器件封装:

    SOT-363

  • 描述:

    RF TRANS 2 NPN 10V 8GHZ SOT363

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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