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UPA827TF-T1-A	文件：166.76 Kbytes Page：6 Pages	NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR FEATURES • High gain with low operating current \|S21e\|2 = 9 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 7 mA, f = 2 GHz \|S21e\|2 = 8.5 dB TYP. @ VCE = 1 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz • 6-pin thin-type small mini mold package • Built-in 2 transistors (2 u 2SC5179) 文件：166.76 Kbytes 页数：6 Pages	NEC 瑞萨	NEC
UPB1507GV-E1-A	文件：0 bytes Page：0 Pages	SSOP8	RENESAS 瑞萨上传：深圳市正纳电子有限公司	RENESAS
UPB1509GV-E1	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOP	NEC 瑞萨上传：深圳市鸿昌盛电子科技有限公司	NEC
UPB8216C	文件：0 bytes Page：0 Pages	DIP16	NEC 瑞萨上传：深圳市易芯易电子科技有限公司	NEC
UPB8284AD	文件：0 bytes Page：0 Pages	DIP-18	NEC 瑞萨上传：深圳市鸿昌盛电子科技有限公司	NEC

详细参数

型号：
UPA827TF-T1
制造商：
NEC
制造商全称：
NEC
功能描述：
NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多UPA827TF-T1供应商更新时间2026-2-2 10:59:00

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