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UPA828	文件：92.61 Kbytes Page：20 Pages	HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR WITH BUILT-IN 6-PIN 2 x 2SC5184 THIN-TYPE SMALL MINI MOLD FEATURES • Low noise NF = 1.3 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz NF = 1.3 dB TYP. @ VCE = 1 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz • 6-pin thin-type small mini mold package adopted • Built-in 2 transistors (2 u 2SC5184) 文件：92.61 Kbytes 页数：20 Pages	NEC 瑞萨	NEC
UPA828	文件：300 bytes Page：1 Pages	HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR WITH BUILT-IN 6-PIN 2 x 2SC5184 THIN-TYPE SMALL MINI MOLD	Renesas 瑞萨	Renesas
UPA828TD	文件：303.93 Kbytes Page：10 Pages	NPN SILICON RF TWIN TRANSISTOR NPN SILICON RF TRANSISTOR (WITH 2 ELEMENTS) IN A 6-PIN LEAD-LESS MINIMOLD (M16, 1208 PKG) FEATURES • Built-in low phase distortion transistor suited for OSC applications fT = 9.0 GHz TYP., ⏐S21e⏐2 = 7.5 dB TYP. @ VCE = 1 V, IC = 10 mA, f = 2 GHz NF = 1.3 dB TYP. @ VCE = 1 V, IC = 3 mA, f = 文件：303.93 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
UPA828TF	文件：92.61 Kbytes Page：20 Pages	HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR WITH BUILT-IN 6-PIN 2 x 2SC5184 THIN-TYPE SMALL MINI MOLD FEATURES • Low noise NF = 1.3 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz NF = 1.3 dB TYP. @ VCE = 1 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz • 6-pin thin-type small mini mold package adopted • Built-in 2 transistors (2 u 2SC5184) 文件：92.61 Kbytes 页数：20 Pages	NEC 瑞萨	NEC
UPA828TF-T1	文件：92.61 Kbytes Page：20 Pages	HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR WITH BUILT-IN 6-PIN 2 x 2SC5184 THIN-TYPE SMALL MINI MOLD FEATURES • Low noise NF = 1.3 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz NF = 1.3 dB TYP. @ VCE = 1 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz • 6-pin thin-type small mini mold package adopted • Built-in 2 transistors (2 u 2SC5184) 文件：92.61 Kbytes 页数：20 Pages	NEC 瑞萨	NEC
UPA828TF	文件：46.82 Kbytes Page：7 Pages	NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR 文件：46.82 Kbytes 页数：7 Pages	NEC 瑞萨	NEC
UPA828TF_99	文件：46.82 Kbytes Page：7 Pages	NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR 文件：46.82 Kbytes 页数：7 Pages	NEC 瑞萨	NEC
UPA828TF-T1	文件：46.82 Kbytes Page：7 Pages	NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR 文件：46.82 Kbytes 页数：7 Pages	NEC 瑞萨	NEC
UPA828TD	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN Silicon Rf Transistor (With 2 Elements) In A 6-Pin Lead-Less Minimold (M16, 1208 Pkg) The UPA828TD is a NPN Silicon Rf Transistor (With 2 Elements) In A 6-Pin Lead-Less Minimold (M16, 1208 Pkg).	Renesas 瑞萨	Renesas

详细参数

型号：
UPA828
制造商：
NEC
制造商全称：
NEC
功能描述：
HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR WITH BUILT-IN 6-PIN 2 x 2SC5184 THIN-TYPE SMALL MINI MOLD

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