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UPA828TD	文件：303.93 Kbytes Page：10 Pages	NPN SILICON RF TWIN TRANSISTOR NPNSILICONRFTRANSISTOR(WITH2ELEMENTS) INA6-PINLEAD-LESSMINIMOLD(M16,1208PKG) FEATURES •Built-inlowphasedistortiontransistorsuitedforOSCapplications fT=9.0GHzTYP.,⏐S21e⏐2=7.5dBTYP.@VCE=1V,IC=10mA,f=2GHz NF=1.3dBTYP.@VCE=1V,IC=3mA,f=	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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828B	文件：66.99 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountZenerDiodes Features ●latHandlingSurfaceforAccuratePlacement ●tandardZenerBreakdownVoltageRange-3.3Vto68V ●owProfilePackage	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
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详细参数

型号：
UPA828TD
功能描述：
射频双极小信号晶体管 NPN Silicn Amp Oscilltr Dul Trnsist
RoHS：
否
制造商：
NXP Semiconductors
配置：
Single
晶体管极性：
NPN
最大工作频率：
7000 MHz 集电极—发射极最大电压
VCEO：
15 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
2 V
集电极连续电流：
0.15 A
功率耗散：
1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe
最大工作温度：
+ 150 C
封装/箱体：
SOT-223
封装：
Reel

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