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UPA828TF-T1	文件：92.61 Kbytes Page：20 Pages	HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR WITH BUILT-IN 6-PIN 2 x 2SC5184 THIN-TYPE SMALL MINI MOLD FEATURES • Low noise NF = 1.3 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz NF = 1.3 dB TYP. @ VCE = 1 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz • 6-pin thin-type small mini mold package adopted • Built-in 2 transistors (2 u 2SC5184) 文件：92.61 Kbytes 页数：20 Pages	NEC 瑞萨	NEC
UPA828TF-T1	文件：46.82 Kbytes Page：7 Pages	NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR 文件：46.82 Kbytes 页数：7 Pages	NEC 瑞萨	NEC
UPB1507GV-E1-A	文件：0 bytes Page：0 Pages	SSOP8	RENESAS 瑞萨上传：深圳市正纳电子有限公司	RENESAS
UPB1509GV-E1	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOP	NEC 瑞萨上传：深圳市鸿昌盛电子科技有限公司	NEC
UPB8216C	文件：0 bytes Page：0 Pages	DIP16	NEC 瑞萨上传：深圳市易芯易电子科技有限公司	NEC

详细参数

型号：
UPA828TF-T1
制造商：
NEC
制造商全称：
NEC
功能描述：
NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多UPA828TF-T1供应商更新时间2026-1-31 11:10:00

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