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UPA831TC-T1	文件：79.45 Kbytes Page：16 Pages	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH 2 DIFFERENT ELEMENTS IN A FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE DESCRIPTION The µPA831TC has built-in two different transistors (Q1 and Q2) for low noise amplification in the VHF band to UHF band. FEATURES • Low noise Q1 : NF = 1.2 dB TYP., Q2 : NF = 1.4 dB TYP. @f = 1 GHz, VCE = 3 V, IC = 7 mA • High gain Q1 : \|S21e\|2 = 9.0 dB TYP., Q2 : \|S 文件：79.45 Kbytes 页数：16 Pages	NEC 瑞萨	NEC
UPA831TC-T1	文件：16.45 Kbytes Page：2 Pages	NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR 文件：16.45 Kbytes 页数：2 Pages	CEL	CEL
UPB1507GV-E1-A	文件：0 bytes Page：0 Pages	SSOP8	RENESAS 瑞萨上传：深圳市正纳电子有限公司	RENESAS
UPB1509GV-E1	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOP	NEC 瑞萨上传：深圳市鸿昌盛电子科技有限公司	NEC
UPB8216C	文件：0 bytes Page：0 Pages	DIP16	NEC 瑞萨上传：深圳市易芯易电子科技有限公司	NEC

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