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UPA821	文件：64.47 Kbytes Page：12 Pages	NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC5006 FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE ULTRA SUPER MINIMOLD DESCRIPTION TheµPA821TChasbuilt-inlow-voltagetwotransistorswhicharedesignedforlow-noiseamplificationintheVHFtoUHFband. FEATURES •Lownoise:NF=1.2dBTYP.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA •Highgain:IS21el2=9.0dBTYP.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA •Flat-lead6-pi	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPA821TC	文件：64.47 Kbytes Page：12 Pages	NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC5006 FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE ULTRA SUPER MINIMOLD DESCRIPTION TheµPA821TChasbuilt-inlow-voltagetwotransistorswhicharedesignedforlow-noiseamplificationintheVHFtoUHFband. FEATURES •Lownoise:NF=1.2dBTYP.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA •Highgain:IS21el2=9.0dBTYP.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA •Flat-lead6-pi	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPA821TC-T1	文件：64.47 Kbytes Page：12 Pages	NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC5006 FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE ULTRA SUPER MINIMOLD DESCRIPTION TheµPA821TChasbuilt-inlow-voltagetwotransistorswhicharedesignedforlow-noiseamplificationintheVHFtoUHFband. FEATURES •Lownoise:NF=1.2dBTYP.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA •Highgain:IS21el2=9.0dBTYP.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA •Flat-lead6-pi	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPA821TF	文件：40.07 Kbytes Page：6 Pages	NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR DESCRIPTION TheUPA821TFhastwobuilt-inlow-voltagetransistorswhicharedesignedforlow-noiseamplificationintheVHFtoUHFband.Thetwodiearechosenfromadjacentlocationsonthewafer.Thesefeaturescombinedwiththepinconfigurationmakethisdeviceidealforbalancedormirrored	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPA821TF	文件：225.22 Kbytes Page：18 Pages	SILICON TRANSISTOR HIGH-FREQUENCYLOW-NOISEAMPLIFIER NPNSILICONEPITAXIALTWINTRANSISTOR (WITHBUILT-IN6-PIN2u2SC4226)THIN-TYPESMALLMINIMOLD FEATURES •Low-noise NF=1.2dBTYP.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA •Highgain IS21el2=9.0dBTYP.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA •6-pinthin-typesmall	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA821TF-T1	文件：40.07 Kbytes Page：6 Pages	NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR DESCRIPTION TheUPA821TFhastwobuilt-inlow-voltagetransistorswhicharedesignedforlow-noiseamplificationintheVHFtoUHFband.Thetwodiearechosenfromadjacentlocationsonthewafer.Thesefeaturescombinedwiththepinconfigurationmakethisdeviceidealforbalancedormirrored	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
V-821PVF	文件：213.25 Kbytes Page：1 Pages	SURGEPROTECTOR	OKAYAOKAYA ELECTRIC INDUSTRIES CO., LTD. 冈谷电机工业株式会社	OKAYA
VCA821	文件：899.33 Kbytes Page：35 Pages	Wideband,>40dBGainAdjustRange,LinearinV/VVARIABLEGAINAMPLIFIER	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
VCA821	文件：1.68608 Mbytes Page：38 Pages	Ultra-Wideband,>40dBGainAdjustRange,LinearindBVARIABLEGAINAMPLIFIER	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
VCA821ID	文件：1.64483 Mbytes Page：37 Pages	Ultra-Wideband,>40dBGainAdjustRange,LinearindBVARIABLEGAINAMPLIFIER	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1

详细参数

型号：
UPA821
制造商：
NEC
制造商全称：
NEC
功能描述：
NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC5006 FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE ULTRA SUPER MINIMOLD

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更多UPA821供应商更新时间2025-5-24 15:14:00

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